【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器领域，尤其涉及一种存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法。
技术介绍
1、半导体存储器根据存储数据的方式不同，可分为随机存取存储器(ram)和只读存储器(rom)两大类。其中，随机存取存储器(ram)又可分为静态随机存取存储器(sram)和动态随机存取存储器(dram)。与dram相比，sram具有更快的读写速度。而且sram不需要周期性刷新存储的信息，其设计和制造相对简单。
2、sram具有超低功耗特性，是电池应用领域中的基本要求，例如，物联网领域、移动和便携式电子产品领域以及无线传感器领域等。在这些领域中，考虑到应用程序需要更新，sram需要保持供电，由此导致sram功耗增加。
3、因此，如何降低sram的功耗，成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法，以减小sram的功耗。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种存储单元，包...
【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：电源端和接地端，所述第一反相器的一端与电源端连接，所述第一反相器的另一端与接地端连接，所述第二反相器的一端与电源端连接，所述第二反相器的另一端与接地端连接。
3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括：相连接的第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一下拉晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一源极与所述电源端连接，所述第一漏极与所述第二漏极连接，所述第二源极与所述接地端连接，所...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：电源端和接地端，所述第一反相器的一端与电源端连接，所述第一反相器的另一端与接地端连接，所述第二反相器的一端与电源端连接，所述第二反相器的另一端与接地端连接。
3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一反相器包括：相连接的第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一下拉晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一源极与所述电源端连接，所述第一漏极与所述第二漏极连接，所述第二源极与所述接地端连接，所述第一栅极和所述第二栅极连接。
4.如权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述第二反相器包括：相连接的第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管包括第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第二下拉晶体管包括第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第三源极与所述电源端连接，所述第三漏极与所述第四漏极连接，所述第四源极与所述接地端连接，所述第三栅极和所述第四栅极连接。
5.如权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一访问晶体管包括第一端、第二端和第一控制端，所述第二访问晶体管包括第三端、第四端和第二控制端，所述第三访问晶体管包括第五端、第六端和第三控制端，所述第四访问晶体管包括第七端、第八端和第四控制端；所述第一访问晶体管的第一端与所述第一栅极和所述第二栅极连接，所述第一访问晶体管的第二端与所述第一节点连接；所述第二访问晶体管的第三端与所述第三栅极和所述第四栅极连接，所述第二访问晶体管的第四端与所述第二节点连接；所述第三访问晶体管的第五端与所述第一节点连接，所述第三访问晶体管的第六端与所述第一位线连接；所述第四访问晶体管的第七端与所述第二节点连接，所述第四访问晶体管的第八端与所述第二位线连接；所述字线与所述第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端连接。
6.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述第一端和第二端分别为源极和漏极，所述第三端和第四端分别为源极和漏极，所述第五端和第六端分别为源极和漏极，所述第七端和第八端分别为源极和漏极；所述第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端为栅极。
7.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，还包括：第一锁存点，所述第一访问晶体管的第一端与所述第一锁存点连接，所述第三漏极和所述第四漏极与所述第一锁存点连接；第二锁存点，所述第二访问晶体管的第三端与所述第二锁存点连接，所述第一漏极和所述第二漏极与所述第二锁存点连接。
8.如权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管为pmos；所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管为nmos。
9.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一访问晶体管、所述第二访问晶体管、所述第三访问晶体管和所述第四访问晶体管为nmos。
10.一种存储器，其特征在于，包括：
11.一种存储器结构，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，所述衬底包括：基底；位于基底第一区上的第一鳍部结构，位于基底第二区上的第二鳍部结构，位于基底第三区上的第三鳍部结构，位于基底第四区上的第四鳍部结构，所述第一鳍部结构、第二鳍部结构、第三鳍部结构和第四鳍部结构平行于第二方向，所述第二方向平行于衬底表面且与第一方向相互垂直。
13.如权利要求12所述的存储器结构，其特征在于，所述第一上拉晶体管包括：横跨第三鳍部结构的第一栅极，所述第一栅极平行于第一方向；位于第一栅极两侧第三鳍部结构内的第一源掺杂区和第一漏掺杂区；所述第二上拉晶体管包括：横跨第二鳍部结构的第三栅极，所述第三栅极平行于第一方向；位于第三栅极两侧第二鳍部结构内的第三源掺杂区和第三漏掺杂区；所述第一下拉晶体管包括：横跨第四鳍部结构的第二栅极，所述第二栅极平行于第一方向，所述第二栅极与所述第一栅极相连接；位于第二栅极两侧第四鳍部结构内的第二源掺杂区和第二漏掺杂区；所述第二下拉晶体管包括：横跨第一鳍部结构的第四栅极，所述第四栅极平行于第一方向，所述第四栅极与所述第三栅极相连接；位于第四栅极两侧第一鳍部结构内的第四源掺杂区和第四漏掺杂区。
14.如权利要求13所述的存储器结构，其特征在于，所述第一访问晶体管包括：横跨第一鳍部结构的第五栅极，所述第五栅极平行于第一方向；分别位于第五栅极两侧第一鳍部结构内的第五源漏掺杂区；所述第二访问晶体管包括：横跨第四鳍部结构的第六栅极，所述第六栅极平行于第一方向；分别位于第六栅极两侧第四鳍部结构内的第六源漏掺杂区。
15.如权利要求14所述的存储器结构，其特征在于，所述第三访问晶体管包括：横跨第一鳍部结构的第七栅极，所述第七栅极平行于第一方向；分别位于第七栅极两侧第一鳍部结构内的第七源漏掺杂区；所述第四访问晶体管包括：横跨第四鳍部结构的第八栅极，所述第八栅极平行于第一方向；分别位于第八栅极两侧第四鳍部结构内的第八源漏掺杂区。
16.如权利要求15所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于第一漏掺杂层上和第二漏掺杂层上的第一连接层，所述第一连接层电连接所述第一漏掺杂层和第二漏掺杂层，所述第一连接层还电连接所述第六栅极一侧的第六源漏掺杂区；位于第三漏掺杂层上和第四漏掺杂层上的第二连接层，所述第二连接层电连接所述第三漏掺杂层和第四漏掺杂层，所述第二连接层还电连接所述第五栅极一侧的第五源漏掺杂区；位于第一源掺杂层上的第一电源层，所述第一电源层与所述第一源掺杂层电连接；位于第二源掺杂层上的第一接地层，所述第一接地层与所述第二源掺杂层电连接；位于第三源掺杂层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王一森，张雅，渠超越，曾宗康，杨承，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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