半导体存储器及其控制方法技术

本发明专利技术提供一种半导体存储器及其控制方法，即使当多个子阵列中任一子阵列的不良位线的数目超出所述子阵列中设置的备用位线时，也可以挽救不良位线。半导体存储器包括具有多个子阵列的存储单元阵列、以及当活化多个子阵列的第1子阵列内任一字线时，将字线和在行方向与第1子阵列分隔设置的第2子阵列内对应的字线活化的控制电路。控制电路还被配置为，当满足第1条件包含的第1子阵列内不良位线的数目多于第1子阵列内备用位线的数目时，存取第2子阵列内已活化字线连接的存储单元而非第1子阵列内已活化字线连接的存储单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于半导体存储器及其控制方法，特别是有关于高效地挽救不良位线的半导体存储器及其控制方法。

技术介绍

1、在传统的半导体存储器中，已知一种采用挽救存储单元阵列内的不良位线(不良行)的方法(例如日本特开2001-67889号公报)。此外，传统的半导体存储器中，已知当存储单元阵列由多个子阵列组成时，是对多个子阵列的每一个采用挽救不良位线的方法。然而，在传统的半导体存储器中，当多个子阵列中的任一子阵列中不良位线的数目超出设置于所述子阵列的备用位线(冗余位线)的数目时，要挽救不良位线恐有困难。

2、此外，随着半导体存储器越趋微型化，不良行的发生机率越高，若要维持相同的修补率，则需要配置更多的备用位线，如此一来将不利于微型化，进而造成成本增加。

技术实现思路

1、有鉴于上述问题，本专利技术的目的为提供半导体存储器及其控制方法，即使当多个子阵列中的任一子阵列中不良位线的数目超出设置于所述子阵列的备用位线的数目时，也可以挽救不良位线，并且有利于微型化。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

4.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述控制电路包括第1存储模块，所述第1存储模块被配置为储存所述不良位线所对应的行地址。

6.如权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，所述控制电路更包括：

7.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

8.如权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

4.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述控制电路包括第1存储模块，所述第1存储模块被配置为储存所述不良位线所对应的行地址。

6.如权利要求5所述的半导体存储器，其特征在于，所述控制电路更包括：

7.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

8.如权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，

9.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述控制电路包括：

10.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，

11.如权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，

12.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：道冈义久，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：