一种提升高纯碳化硅原料产率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提升高纯碳化硅原料产率的方法，本发明专利技术的方法对碳粉进行研磨预处理，可以使碳粉的形貌从鳞片状变成类球形，增加碳粉的表面积，提高反应活性，使原料合成反应更加充分，不仅可提升碳化硅原料的产率（15‑30%）；由于通过研磨使碳粉的形貌和粒径更加均匀，还进一步提高了合成原料的尺寸均匀性。与现有的原料合成工艺相比，本发明专利技术仅增加了研磨流程，操作简便，不需要增加昂贵设备，可批量化生产，具有流程简单、不降低原料的品质等显著优势，为提升碳化硅原料合成产率提供了一种简单易行、可批量化生产的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提升高纯碳化硅原料产率的方法，属于第三代半导体材料。

技术介绍

1、随着技术的不断发展，面对下一代电力电子器件更高的性能要求，现有的硅（si）、锗（ge）等广泛使用的半导体材料由于期自身物化性能的限制，越来越难以满足这些新需求。以碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等晶体为代表的第三代宽禁带半导体材料的发现与发展，为新一代电力电子器件的发展带了新的希望。

2、与传统的硅材料相比，碳化硅晶体具备宽带隙、高饱和电子迁移率、高击穿场强、高热导率等突出优点，而且其自身的物理化学性质也特别稳定，是未来电力电子器件的最佳衬底材料之一。当前，采用碳化硅材料制备的电力电子器件已经广泛的应用于交通（电动汽车、高铁、轨道交通、飞机等）、新能源、通讯等涉及国计民生的重要领域中。

3、经过几十年的发展，碳化硅晶体的尺寸和质量也越来越高，晶体生长与衬底加工技术已经日臻成熟。然而，由于碳化硅衬底高昂的价格，严重地制约了其更为广泛应用前景。为此，降低碳化硅晶体的成本是目前碳化硅产业界面临共性问题，也是大家共同奋斗的目标。>

4、近年来无本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升高纯碳化硅原料产率的方法，其特征是：具体步骤如下：

【技术特征摘要】

1.一种提升高纯碳化硅原料产率的...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂小牛，孔海宽，陈建军，忻隽，胡阳，
申请(专利权)人：安徽微芯长江半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：