【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体质量检测,具体涉及一种用于准确测量碳化硅粉料堆积密度的方法。
技术介绍
1、碳化硅晶体作为第三代宽禁带半导体材料的重要代表,因其优异的性能在电动汽车、光伏发电等领域得到了广泛应用。在碳化硅晶体的生长过程中,粉料的堆积密度是一个关键变量,直接影响长晶炉腔体内的气氛稳定性和晶体生长质量。然而,当前关于碳化硅粉料堆积密度的研究主要集中在如何提高或优化堆积密度,而对于准确测量堆积密度的方法研究较少,且现有技术存在一定的局限性。例如,公开号为cn103707432b的专利提出了一种提高聚合物粉料堆积密度的热处理设备及方法,该技术通过流化床和加热装置对聚合物粉料进行处理以显著提高堆积密度,但其关注点在于通过外部热处理手段改变粉料的物理特性,并未涉及如何准确测量粉料的堆积密度。此外,该方法依赖于特定的设备结构和操作条件,难以直接应用于碳化硅粉料的测量场景,尤其是在需要排除粉料间空隙以获得真实堆积密度的情况下。另一份公开号为cn101905131b的专利提供了一种用于混合不同堆积密度物料的变频低速混合机及方法,其重点在于实现物料的均匀
...【技术保护点】
1.一种碳化硅粉料堆积密度的测量方法,其特征在于包括以下步骤:将待测碳化硅粉料置于带有容积刻度线的容器中并向其中加入易挥发液体直至固定刻度线,记录初始容积V1和初始重量G1;通过加热装置使液体挥发并通过导管引入冷凝装置,使挥发的液体蒸汽冷凝并被收集;称量收集到的液体重量G2和体积V2,计算碳化硅粉料重量为G1-G2,体积为V1-V2,根据公式计算得到堆积密度。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅粉料堆积密度的,其特征在于所述容器(1)为石英材质,密封塞(2)为橡胶材质。
3.如权利要求2所述的一种碳化硅粉料堆积密度的,其特征在于所述导管(3)为石
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【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料堆积密度的测量方法,其特征在于包括以下步骤:将待测碳化硅粉料置于带有容积刻度线的容器中并向其中加入易挥发液体直至固定刻度线,记录初始容积v1和初始重量g1;通过加热装置使液体挥发并通过导管引入冷凝装置,使挥发的液体蒸汽冷凝并被收集;称量收集到的液体重量g2和体积v2,计算碳化硅粉料重量为g1-g2,体积为v1-v2,根据公式计算得到堆积密度。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅粉料堆积密度的,其特征在于所述容器(1)为石英材质,密封塞(2)为橡胶材质。
3.如权利要求2所述的一种碳化硅粉料堆积密度的,其特征在于所述导管(3)为石英材质。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅粉料堆积密度的,其特征在于所述易挥发液体(6)为纯水...
【专利技术属性】
技术研发人员:余安,周国栋,潘青华,
申请(专利权)人:安徽微芯长江半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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