矩阵式压力传感器的制备方法技术

技术编号:43344150 阅读:22 留言:0更新日期:2024-11-15 20:40
本发明专利技术提供了一种矩阵式压力传感器的制备方法,其利用了IC工艺,该制备方法包括:提供第一衬底以及第二衬底;在第一衬底的表面形成第一键合介质;通过第一键合介质,将第一衬底和第二衬底键合;在第二衬底的表面形成孔柱,孔柱贯穿第二衬底以及第一键合介质;在孔柱的侧壁沉积隔离层;在孔柱内填充应变层,应变层的厚度高于第一键合介质的厚度;去除隔离层以及第一键合介质,形成空腔;在孔柱位于第二衬底的位置形成孔塞,密封空腔。本发明专利技术的制作过程工艺可靠稳定,且在衬底上形成的传感器点阵密度较高,兼顾降低传感器空间的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域,尤其涉及一种矩阵式压力传感器的制备方法


技术介绍

1、压力传感器通常用于触摸屏、机器人感知、医疗设备等领域。通过将多个压力传感器排列成一个矩阵,可以同时检测多个点的压力变化,从而提供高分辨率的压力分布图。

2、目前的薄膜压力传感器都是基于印刷工艺制作,接口部分采用刺破式冷压端子。由于其制造工艺和接口影响,只能将多颗压力传感器芯片在后端封装成点阵,存在传感器空间要求大,点阵密度不高的问题,使薄膜压力传感器的应用受到很大限制。

3、因而,如何提高传感器点阵密度,兼顾降低传感器空间要求,已成为业界目前亟需解决的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种矩阵式压力传感器的制备方法,解决了如何提高传感器点阵密度,兼顾降低传感器空间要求的技术问题。

2、根据本专利技术的第一方面,本专利技术实施例提供一种矩阵式压力传感器的制备方法,包括:

3、步骤s1:提供第一衬底以及第二衬底;

4、步骤s2:在所述第一衬底的表面形成第一键合介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中包括:

3.如权利要求2所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中包括:

4.如权利要求3所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤S8中形成所述孔塞包括:

5.如权利要求4所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,在所述步骤S8之后,还包括:

6.如权利要求1所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,步骤S6中包括:

7.如权利要求1所述的矩阵式压...

【技术特征摘要】

1.一种矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤s4中包括:

3.如权利要求2所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤s5中包括:

4.如权利要求3所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤s8中形成所述孔塞包括:

5.如权利要求4所述的矩阵式压力传感器的制备方法,其特征在于,在所述步骤s8之后,还包括:

6.如权利要求1所述的矩阵式压力传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈勇彬
申请(专利权)人:广州增芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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