【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆抛光,并且更为具体地,涉及一种用于晶圆抛光的支撑组件和抛光设备。
技术介绍
1、化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。用于化学机械抛光的设备一般包括支撑组件、承载头和抛光垫,承载头与支撑组件连接,承载头的下表面用于固定晶圆,晶圆的下表面具有沉积层,晶圆的下表面抵压于抛光垫的上表面,承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷;抛光液被供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆的下表面与抛光垫的上表面之间,使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
2、在相关技术中,支撑组件包括框架、至少两个动力机构和至少两个承载头,两个承载头分别安装在两个动力机构上,动力机构能够相对于框架沿横向往复移动的,从而使得两个承载头能够相对于框架沿横向往复移动,以交替装载晶圆,提升抛光阶段的生产效率。
3、但是,抛光过程中抛光腔室中会始终存在抛光液的溅射,由于承载头需要相对于框架沿横向往复移动,因此容易出现溅射的抛光液从缝
...【技术保护点】
1.一种用于晶圆抛光的支撑组件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的支撑组件,其特征在于,所述第一防护结构包括两组梳齿(31)和两组第一沟槽(21),两组所述梳齿(31)沿横向分别位于所述第二防护件(30)的两端,两组所述第一沟槽(21)位于所述第一防护件(20)的下表面,且沿横向分别位于所述第一避让孔(2A)的两侧;
3.根据权利要求2所述的支撑组件,其特征在于,所述第一防护结构还包括两个防护板(32)和两个第二沟槽(22),两个所述防护板(32)沿纵向分别位于所述第二防护件(30)的两端,两个所述第二沟槽(22)位于所述第一防护件(
...【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆抛光的支撑组件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的支撑组件,其特征在于,所述第一防护结构包括两组梳齿(31)和两组第一沟槽(21),两组所述梳齿(31)沿横向分别位于所述第二防护件(30)的两端,两组所述第一沟槽(21)位于所述第一防护件(20)的下表面,且沿横向分别位于所述第一避让孔(2a)的两侧;
3.根据权利要求2所述的支撑组件,其特征在于,所述第一防护结构还包括两个防护板(32)和两个第二沟槽(22),两个所述防护板(32)沿纵向分别位于所述第二防护件(30)的两端,两个所述第二沟槽(22)位于所述第一防护件(20)的下表面,且沿所述纵向分别位于所述第一避让孔(2a)的两侧;
4.根据权利要求3所述的支撑组件,其特征在于,在所述横向上,所述第一沟槽(21)的端部与所述第二沟槽(22)的远离所述第一避让孔(2a)的端部平齐。
5.根据权利要求1所述的支撑组件,其特征在于,所述第二防护结构包括设置在所述第一防护件(20)下表面的第一防护凸起(23),所述第一防护凸起(23)呈环形且环绕在所述第一避让孔(2a)周围,所述第一防护凸起(23)位于所述第一避让孔(2a)和所述第一防护结构之间;
6.根据权利要求1-5中任一项所述的支撑组件,其特征在于,所述支撑组件还包括第一真空吸管(41),所述第一真空吸管(41)位于所述第一防护件(20)上方,所述第一真空吸管(41)的吸口朝向所述第二防...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏佳琪,吴兴,徐海洋,许振杰,
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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