一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀及铲片方法技术

本发明专利技术公开了一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀及铲片方法，涉及晶片加工技术领域，包括活动夹具、刀片，活动夹具设有夹槽，刀片前后两侧设有楔形刀刃，活动夹具设有旋钮，夹槽下方设有贯通的螺纹孔，旋钮上设有贯穿入夹槽的螺杆，夹槽设有L型支撑条，L型支撑条设有阻挡垫，阻挡垫与L型支撑条均延伸至夹槽两端处，阻挡垫设有摩擦斜面，摩擦斜面顶在楔形刀刃处，楔形刀刃的刀口处穿过阻挡垫上方，活动夹具设有弯折板，弯折板连接有连接架，连接架固定在握把上。本发明专利技术结构简单，可以极低成本的降低晶片崩边碎片概率，且没有表面人工操作引起的划伤，兼容直径6—8英寸之间的晶圆片，耐用性强，设有两处可替换刀刃，刀刃更换方便，适合推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶片加工，具体涉及一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀及铲片方法。

技术介绍

1、碳化硅（sic）单晶材料由于禁带宽度大、热导效率高的优点，作为第三代半导体器件具有击穿电压高、使用功率大、耐高温、可靠性强等优势，热门应用于高电压高功率电子器件模块的研发。

2、单晶生长出的碳化硅晶体，需经过切割、研磨、抛光、清洗加工工艺后，才能成为半导体器件制造产业链中的晶圆衬底，供给下游客户进行进一步加工。且相较于传统硅晶圆，标准6/8英寸碳化硅的生长需要比标准片直径更大5mm/10mm的非标晶圆片作为籽晶进行生长，利用牺牲外圆法降低晶体缺陷。因此非标直径的晶圆加工对于标准设备加工机型而言更加困难。

3、碳化硅抛光普遍采用单面抛光的加工方式，通过将蜡均匀分布表面形成蜡膜，最后将晶圆蜡膜面与陶瓷盘进行高温贴合，利用蜡介质的黏性使晶圆与陶瓷盘紧紧连接在一起，使用抛光机搭配相应液体磨料进行晶圆非贴蜡面的抛光。

4、在抛光后的碳化硅取下时，使用自动化铲刀，当前自动化铲刀设备尚未成熟，受限于碳化硅晶圆厚度较薄（350um），晶圆倒角面为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀，包括活动夹具（1）、刀片（2），其特征在于，所述活动夹具（1）朝向刀片（2）一侧设有夹槽（6），所述刀片（2）前后两侧设有楔形刀刃（3），朝向晶圆所述的楔形刀刃（3）的刃口在下，位于夹槽（6）中的所述楔形刀刃（3）刃口在上，所述活动夹具（1）位于夹槽（6）后端处设有旋钮（7），所述活动夹具（1）位于夹槽（6）下方设有贯通的螺纹孔（13），所述螺纹孔（13）凸出夹槽（6）底部，所述旋钮（7）上设有贯穿入夹槽（6）的螺杆（15），所述螺杆（15）与所述螺纹孔（13）位置相对，所述螺纹孔（13）内设有凸起螺纹（14），所述螺杆（15）通过内置螺纹与凸起螺纹...

【技术特征摘要】

1.一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀，包括活动夹具（1）、刀片（2），其特征在于，所述活动夹具（1）朝向刀片（2）一侧设有夹槽（6），所述刀片（2）前后两侧设有楔形刀刃（3），朝向晶圆所述的楔形刀刃（3）的刃口在下，位于夹槽（6）中的所述楔形刀刃（3）刃口在上，所述活动夹具（1）位于夹槽（6）后端处设有旋钮（7），所述活动夹具（1）位于夹槽（6）下方设有贯通的螺纹孔（13），所述螺纹孔（13）凸出夹槽（6）底部，所述旋钮（7）上设有贯穿入夹槽（6）的螺杆（15），所述螺杆（15）与所述螺纹孔（13）位置相对，所述螺纹孔（13）内设有凸起螺纹（14），所述螺杆（15）通过内置螺纹与凸起螺纹（14）螺纹相连；

2.根据权利要求1所述的一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀，其特征在于，所述刀片（2）和握把（10）为pvc材质构成，所述楔形刀刃（3）的两侧处设有倒角（4），所述刀片（2）的开刃角度为15度~20度，所述楔形刀刃（3）面幅宽度3mm。

3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思远，钟超，江成陈，
申请(专利权)人：安徽微芯长江半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：