System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装的,具体为一种堆叠式模组封装结构,本专利技术还提供了堆叠式模组封装结构的制造方法。
技术介绍
1、各种智能设备的小型化、轻薄化成为当下的发展趋势,芯片堆叠技术成为了电子封装技术重点研发对象,其可以有效缓解芯片上集成的压力。
2、现有技术中集成表面波滤波器芯片(saw filter die)、体声波滤波器芯片(bawfilter die)于一体的堆叠式模组封装结构,由于需要保证体声波滤波器芯片(baw filterdie)芯片底部正常填充的情况下同时保留出表面波滤波器芯片(saw filter die)所需的空腔结构,故需要先将表面波滤波器芯片(saw filter die)单独封装完成后再合到模组,其需要进行两次封装才能完成堆叠式封装结构,其封装成本高,且封装周期长,不利于提升产能。
技术实现思路
1、针对上述问题,本专利技术提供了一种堆叠式模组封装结构,其增加了产品密度、缩小了产品尺寸,且降低了封装成本。
2、一种堆叠式模组封装结构,其特征在于,其包括:
3、基板,其包括上表面、基板本体、下表面,所述上表面设置有若干用于芯片连接的上凸触点;
4、至少一片表面滤波器芯片,每片表面滤波器芯片上设置有硅通孔;
5、至少一片体声波滤波器芯片;
6、以及若干元器件;
7、所述体声波滤波器芯片的数量不超过所述表面滤波器芯片的数量;
8、所述表面滤波器芯片的底部bump通过sm
9、塑封层塑封于所述基板的上表面,所述塑封层封盖住所述体声波滤波器芯片的上表面,所述塑封层封盖所述基板上表面的元器件的上表面,所述塑封层内嵌于所述体声波滤波器芯片、表面波滤波器芯片之间的空间区域内。
10、其进一步特征在于:
11、所述体声波滤波器芯片的数量等于所述表面滤波器芯片的数量,每片所述表面波滤波器芯片的上表面设置有一片所述体声波滤波器芯片;
12、初始状态所述薄膜整体盖装于所述基板的上表面所对应的元器件、体声波滤波器芯片所对应的面域,且所述薄膜覆盖住元器件的四周、体声波滤波器芯片的四周至基板上表面的立面区域,所述体声波滤波器芯片的四周薄膜的立面同时覆盖住所述表面波滤波器芯片的四周外围,塑封开始前所述元器件的四周、以及体声波滤波器芯片所对应的高度外围四周的薄膜被烧蚀去除;
13、所述塑封层封盖住所述元器件、体声波滤波器芯片的最高区域位置;
14、所述塑封层的上表面为平面,确保塑封表面稳定可靠。
15、一种堆叠式模组封装结构的制造方法,其特征在于,其包括如下步骤:
16、s1、基板的上表面朝上,将表面波滤波器芯片的bump、元器件通过smt贴装到基板的上表面;
17、s2、通过fc/smt将体声波滤波器芯片贴装到表面波滤波器芯片的上方;
18、s3、通过覆膜,将薄膜遮盖于所述基板的上表面,且使得薄膜完整贴合基板、元器件、体声波滤波器芯片的上表面,且薄膜完整贴合元器件、体声波滤波器芯片、表面波滤波器芯片的四周面域;
19、s4、通过激光烧蚀,将元器件和体声波滤波器芯片的四周面域的薄膜烧蚀掉;
20、s5、进行cm塑封;
21、s6、产品正面打印;
22、s7、切割成单颗成品。
23、其进一步特征在于:
24、步骤s1中,当表面波滤波器芯片的底部为金bump时,先通过smt作业把常规倒装芯片、元器件贴装到基板的上表面,之后通过超声倒装焊作业将表面波滤波器芯片贴装到基板的上表面;
25、步骤s2的包括如下步骤:
26、s201、覆膜前整条产品等离子清洗;
27、s202、裁切tsa胶膜,tsa胶膜包括胶膜本体、上离型膜、下离型膜,;
28、s203、撕除下离型膜,将胶膜本体朝向下覆盖贴合到基板面域的上方、同时覆盖贴合元器件、体声波滤波器芯片的最高上表面区域;
29、s204、将基板、元器件、体声波滤波器芯片、表面波滤波器芯片以及胶膜本体、上离型膜垂直向翻转180°,并使得上离型膜压附到软胶垫上;
30、s205、使用真空压膜机进行第一次覆膜,将贴好膜的产品通过真空压膜机的传送带进行第一次覆膜;
31、s206、之后产品180°翻转后,通过揭除上离型膜;
32、s207、将基板、元器件、体声波滤波器芯片、表面波滤波器芯片以及胶膜本体再次垂直向翻转180°,并使得胶膜本体压附到软胶垫上;
33、s208、使用真空压膜机进行第二次覆膜,将产品通过真空压膜机的传送带进行第二次覆膜;
34、s209、翻转产品,使得基板在下方,烘烤使得胶膜本体收缩套装在基板、元器件、体声波滤波器芯片、表面波滤波器芯片的外露面域。
35、采用上述技术方案后,通过tsv+tsa胶膜+激光烧蚀的方案,在同比例外形尺寸的产品中可集成更多种类的功能芯片;增加产品密度,缩小产品尺寸;通过tsv设计使得表面波滤波器芯片形成硅通孔,从而使得表面波滤波器芯片与体声波滤波器芯片两种芯片堆叠在一起实现电路互连和信号导通,通过tsa胶膜+激光烧蚀来实现表面波滤波器芯片的独立空腔保留,可以保证在体声波滤波器芯片底部正常填充的情况下同时保留出表面波滤波器芯片所需的独立空腔结构,打破传统的需要先将表面波滤波器芯片单独封装完成再合到模组中的方案,降低分步封装的成本;综上,其可以保证体声波滤波器芯片底部正常填充的情况下同时保留出表面波滤波器芯片所需的空腔结构,其增加了产品密度、缩小了产品尺寸,且降低了封装成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种堆叠式模组封装结构,其特征在于,其包括:
2.根据权利要求1所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:所述体声波滤波器芯片的数量等于所述表面滤波器芯片的数量,每片所述表面波滤波器芯片的上表面设置有一片所述体声波滤波器芯片。
3.根据权利要求2所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:初始状态所述薄膜整体盖装于所述基板的上表面所对应的元器件、体声波滤波器芯片所对应的面域,且所述薄膜覆盖住元器件的四周、体声波滤波器芯片的四周至基板上表面的立面区域,所述体声波滤波器芯片的四周薄膜的立面同时覆盖住所述表面波滤波器芯片的四周外围,塑封开始前所述元器件的四周、以及体声波滤波器芯片所对应的高度外围四周的薄膜被烧蚀去除。
4.根据权利要求3所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:所述塑封层封盖住所述元器件、体声波滤波器芯片的最高区域位置。
5.根据权利要求4所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:所述塑封层的上表面为平面。
6.一种堆叠式模组封装结构的制造方法,其特征在于,其包括如下步骤:
7.根据权利要求6所述
8.根据权利要求6所述的一种堆叠式模组封装结构的制造方法,其特征在于,步骤S2的包括如下步骤:
...【技术特征摘要】
1.一种堆叠式模组封装结构,其特征在于,其包括:
2.根据权利要求1所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:所述体声波滤波器芯片的数量等于所述表面滤波器芯片的数量,每片所述表面波滤波器芯片的上表面设置有一片所述体声波滤波器芯片。
3.根据权利要求2所述的一种堆叠式模组封装结构,其特征在于:初始状态所述薄膜整体盖装于所述基板的上表面所对应的元器件、体声波滤波器芯片所对应的面域,且所述薄膜覆盖住元器件的四周、体声波滤波器芯片的四周至基板上表面的立面区域,所述体声波滤波器芯片的四周薄膜的立面同时覆盖住所述表面波滤波器芯片的四周外围,塑封开始前所述元器件的四周、以及体声波滤波器芯片所对应的高度外围四周的薄膜被烧蚀去除。
4...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋敏,陈兴隆,胡锐刚,
申请(专利权)人:华天科技南京有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。