【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及柔性包装薄膜材料，具体为一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法。
技术介绍
1、手机壳一般为塑料材质，塑料薄膜的镀铝工艺一般采用直镀法，即将铝层直接镀在基材薄膜表面。bopet(双向拉伸聚酯)、bopa(双向拉伸尼龙)薄膜基材镀铝前不需进行表面处理，可直接进行蒸镀。而bopp(双向拉伸聚丙烯薄膜)、cpp(流延聚丙烯薄膜)、pe(聚乙烯)等非极性塑料薄膜，在蒸镀前需对薄膜表面进行涂布粘合层、电晕处理或者低温等离子体表面改性的方法，使其表面张力达到38-42达因/厘米或具有良好的粘合性，否则在其表面的蒸镀铝膜的附着力较差，受外力容易脱落。
2、目前手机壳镀铝工艺在镀铝结束后，无法确保后续镀铝膜的性能，且随着长时间的使用，由于手机壳使用时会经受反复的摩擦，很容易造成其表面的镀铝膜脱落，为此我们提出一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，所述采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法包括以下具体步骤：
3、s1、基片准备，选择塑料薄膜作为基片，对其进行清洗和处理，以去除表面的污染物和杂质；
4、s2、真空室准备：将处理后的基片放入真空室中，并关闭真空室门，启动真空系统，排除真空室中的空气，使真空度达到目标值；p>
5、s3、靶材安装：将纯铝靶材安装在磁控溅射靶上，并确保靶材与基片表面之间的距离适当；
6、s4、溅射气体引入：向真空室中引入溅射气体；
7、s5、磁控溅射镀膜：开启磁控溅射电源，产生磁场，使氩气电离形成等离子体，在磁场的作用下，等离子体中的氩离子会加速撞击铝靶材表面，溅射出铝原子，这些铝原子会在基片表面沉积并形成镀铝膜；
8、s6、镀膜参数控制：在溅射镀膜过程中，需要控制溅射功率、溅射时间、溅射气体流量、工作压力这些镀膜参数，可以有效的确保镀铝膜的质量和性能；
9、s7、镀膜后处理：完成溅射镀膜后，需要对镀铝膜进行退火处理以及表面处理，可以有效的改善镀铝膜的性能和附着力；
10、s8、成品检测：对制备好的镀铝膜进行质量检测，其中质量检测包括厚度测量、附着力测试、表面粗糙度测试、光学性能测试，以确保镀铝膜符合要求。
11、优选的，所述s1中准备基片包括以下具体步骤：
12、s1.1、将选择好的塑料薄膜基片使用清洁剂对塑料薄膜表面进行清洁，先将塑料薄膜放置在清洁剂中进行浸泡，待浸泡5—10min后，使用棉布对其进行擦拭，将其表面附着的油污、灰尘和其他污染物进行去除；
13、s1.2、擦拭完毕后，使用去离子水对清洁狗的塑料薄膜进行冲洗，对塑料薄膜表面残留的清洁剂和杂质进行清除；
14、s1.3、将冲洗后的塑料薄膜放置于干燥箱中进行干燥处理，需将干燥箱的温度控制在60℃-80℃，干燥时间控制在8—15min；
15、s1.4、通过等离子体处理的方式对塑料薄膜表面进行活化处理，可以有效的提高铝模与塑料薄膜之间的附着力；
16、s1.5、在镀铝之前，对处理后的塑料薄膜进行充分检查，需确保其表面清洁、无污染物和损伤。
17、优选的，所述s4中引入的溅射气体为氩气。
18、优选的，所述s2中真空室准备包括以下具体步骤：
19、s2.1、确保真空室清洁、无污垢和杂质，检查真空室的密封性能，确保门能够紧闭并保持真空；
20、s2.2、将处理后的塑料薄膜基片小心地放入真空室内的夹具上，确保基片放置平稳，并且不会受到损坏或污染；
21、s2.3、确保门关闭紧密，并且真空室的密封良好，检查门的密封圈是否完好无损，如有必要，更换密封圈；
22、s2.4、打开真空系统的电源，启动真空泵，真空泵将开始抽取真空室内的空气，逐渐降低室内压力；
23、s2.5、使用真空计来监测真空室内的压力变化，随着真空泵的运行，真空度将逐渐增加；
24、s2.6、根据具体的工艺要求，确定所需的目标真空度，继续运行真空泵，直到真空度达到或超过目标值；
25、s2.7、一旦达到目标真空度，需要保持真空室的真空状态，确保真空泵继续运行，并检查真空系统是否存在泄漏，如果发现泄漏，应及时修复。
26、优选的，所述s6中在溅射过程中，持续监测真空室压力和电流等参数，由于溅射速率不同且阻挡物质散热不均匀等原因可导致最终得到的镀铝膜出现膜厚不均匀问题，通过调整溅射功率、靶基距离、氩气流量和溅射时间及要点为每个溅射点不时变换位置来缓解，并且在溅射过程中，薄膜的生长速率、厚度、平整度等性能通过调控溅射参数来控制，溅射完成后，关闭溅射电源，并停止引入溅射气体。
27、优选的，所述s7中对镀铝膜进行退火处理包括以下具体步骤：
28、s7.1.1、将镀铝膜的基片放入退火炉中，逐渐升高退火炉的温度，使其达到预设的退火温度，在预设的退火温度下保持一定的时间，以确保膜层完成退火过程；
29、s7.1.2、随着退火的不断进行，逐渐降低退火炉的温度，使其缓慢冷却至室温，小心地取出退火处理后的基片。
30、优选的，所述s7中对镀铝膜进行表面处理包括以下具体步骤：
31、s7.2.1、使用适当溶剂去除基片表面的污染物，用去离子水冲洗基片表面，以确保清洁度；
32、s7.2.2、对基片进行表面平整度处理，使用抛光方法改善表面状态，并通过等离子体处理进行表面改性处理，可以有效的提高膜层的附着力和性能，处理结束后，对表面处理后的基片进行清洗和干燥，以去除任何残留的处理剂或水分。
33、优选的，所述s3中对纯铝靶材安装完毕后，使用激光测距仪，测量靶材与基片表面之间的距离，对基片台的高度和靶材的位置进行调整，使距离达到适当的值，从而实现保证靶材与基片表面之间的距离适当。
34、优选的，所述s7中当镀膜达到预定的厚度和质量要求时，停止溅射过程，并让设备自然降温，待温度降至安全范围后，缓慢向溅射室放入空气，使内外压力平衡，再小心取出镀铝后的基片，进行后续的检测和分析，可以有效的保证镀铝后基片的质量。
35、与现有技术相比，本专利技术提供了一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，具备以下有益效果：
36、1、该采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，通过在镀铝结束后对基片的表面进行平整度处理以及通过等离子体处理进行表面改性处理，可以有效的提高膜层的附着力和性能，有效的避免长时间使用出现脱落的现象。
37、2、该采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，通过对成品进行厚度测量、附着力测试、表面粗糙度测试、光学性能测试，可以有效的确保镀铝膜的质量。
38、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法包括以下具体步骤：
2.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S1中准备基片包括以下具体步骤：
3.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S4中引入的溅射气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S2中真空室准备包括以下具体步骤：
5.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S6中在溅射过程中，持续监测真空室压力和电流等参数，由于溅射速率不同且阻挡物质散热不均匀等原因可导致最终得到的镀铝膜出现膜厚不均匀问题，通过调整溅射功率、靶基距离、氩气流量和溅射时间及要点为每个溅射点不时变换位置来缓解，并且在溅射过程中，薄膜的生长速率、厚度、平整度等性能通过调控溅射参数来控制，溅射完成后，关闭溅射电源，并停止引入溅射气体。
6.根据权利要求1所述的一种采用
7.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S7中对镀铝膜进行表面处理包括以下具体步骤：
8.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S3中对纯铝靶材安装完毕后，使用激光测距仪，测量靶材与基片表面之间的距离，对基片台的高度和靶材的位置进行调整，使距离达到适当的值，从而实现保证靶材与基片表面之间的距离适当。
9.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述S7中当镀膜达到预定的厚度和质量要求时，停止溅射过程，并让设备自然降温，待温度降至安全范围后，缓慢向溅射室放入空气，使内外压力平衡，再小心取出镀铝后的基片，进行后续的检测和分析。
...【技术特征摘要】
1.一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法包括以下具体步骤：
2.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述s1中准备基片包括以下具体步骤：
3.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述s4中引入的溅射气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述s2中真空室准备包括以下具体步骤：
5.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射法制备高附着力镀铝膜的方法，其特征在于：所述s6中在溅射过程中，持续监测真空室压力和电流等参数，由于溅射速率不同且阻挡物质散热不均匀等原因可导致最终得到的镀铝膜出现膜厚不均匀问题，通过调整溅射功率、靶基距离、氩气流量和溅射时间及要点为每个溅射点不时变换位置来缓解，并且在溅射过程中，薄膜的生长速率、厚度、平整度等性能通过调控溅射...
【专利技术属性】
技术研发人员：许颖杰，徐应斌，刘中义，
申请(专利权)人：浙江奕彩电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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