本申请公开了一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法、系统、设备、介质及产品，涉及高频变压器宽频建模、参数计算领域，该方法包括：基于原有阻抗曲线，计算原有谐振点方程；使用阻抗分析仪测量十电容模型中接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线；所述输入输出端子包括一次侧端子以及二次侧端子；基于所述新的阻抗曲线，计算新的谐振点方程；根据所述原有谐振点方程以及新的谐振点方程求解符合实测阻抗曲线的电容值，并根据所述电容值校正所述十电容模型内电容的电容值。本申请能够使得阻抗曲线与实测阻抗更加匹配，为高频变压器十电容模型的建立提供更有力的依据。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及高频变压器宽频建模、参数计算领域，特别是涉及一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法、系统、设备、介质及产品。
技术介绍
1、随着大规模直流电网的互联以及直流电压变换的需要，dc-dc变换器发挥了重要作用，而其中的高频变压器又是隔离型dc-dc变换器中的关键设备，高频变压器正向着大容量、高电压方向不断发展，因此提出高频变压器的宽频电路模型及其集成等效方法，分析杂散参数和宽频特性对高频变压器与换流阀的影响机制是十分必要的。
2、现有的宽频等效电路已有学者提出三电容模型、六电容模型和十电容模型。其中，十电容模型相比于前两者考虑了绕组对于铁芯等接地部件之间的电容效应，为此该电路模型更符合实际大容量高频变的应用场景。但对于十电容模型中电容参数的提取，由于电容数量较多，目前仅能利用有限元软件中的能量法进行提取，而仿真软件的提取方法往往受诸多因素的局限性，不能保证参数提取的准确，这将影响电路模型的带宽。
3、首先，在高频变压器宽频建模时，传统的电容提取方法依赖于有限元2d和3d建模仿真提取，但由于使用者往往不能了解高频变压器内部的全部信息，因此不能完全还原实际样机，因此造成的电容提取不准确问题，同样的，除了建模相似度以外，网格剖分度、求解精度等原因也会最终影响变压器端口阻抗曲线吻合度，即建模的阻抗曲线和实测比对时，如果参数不准确，会吻合的不好，或者只能吻合低频下的谐振点，更高频段偏差会更大，导致变压器端口阻抗曲线与实测电路阻抗的吻合度准确度低。
技术实现思路
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p>1、本申请的目的是提供一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法、系统、设备、介质及产品，以解决。2、为实现上述目的，本申请提供了如下方案：
3、第一方面，本申请提供了一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，基于大容量高频变压器十电容模型内变压器的一次侧和二次侧进行电容校正，所述大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法包括：
4、基于原有阻抗曲线，计算原有谐振点方程；所述原有谐振点方程包括二次侧开路下，从一次侧测得的原有阻抗曲线中的第一个谐振点方程、二次侧开路下，从一次侧测得的原有阻抗曲线中的第二个谐振点方程以及一次侧开路下，从二次侧侧得到的原有阻抗曲线中第二个谐振点方程；
5、使用阻抗分析仪测量十电容模型中接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线；所述输入输出端子包括一次侧端子以及二次侧端子；
6、基于所述新的阻抗曲线，计算新的谐振点方程；所述新的谐振点方程包括二次侧短路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程、一次侧短路下，从接地端子和二次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程以及二次侧开路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程；
7、根据所述原有谐振点方程以及新的谐振点方程求解符合实测阻抗曲线的电容值，并根据所述电容值校正所述十电容模型内电容的电容值。
8、可选的，二次侧短路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fg1sc-1为：
9、
10、其中，c1-c5以及ck为简化公式，无实际含义，c10为十电容模型中第一端子的对地电容；c20为十电容模型中第二端子的对地电容；c30为十电容模型中第三端子的对地电容；c40为十电容模型中第四端子的对地电容；c12为第一端子与第二端子之间的等效电容；c13为第一端子与第三端子之间的等效电容；c14为第一端子与第四端子之间的等效电容；c34为第三端子与第四端子之间的等效电容；lσ为漏电感。
11、可选的，一次侧短路下，从接地端子和二次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fg2sc-1为：
12、
13、其中，c1-c5以及ck为简化公式，无实际含义，c10为十电容模型中第一端子的对地电容；c20为十电容模型中第二端子的对地电容；c30为十电容模型中第三端子的对地电容；c40为十电容模型中第四端子的对地电容；c12为第一端子与第二端子之间的等效电容；c13为第一端子与第三端子之间的等效电容；c14为第一端子与第四端子之间的等效电容；c34为第三端子与第四端子之间的等效电容；lσ为漏电感，所述漏电感为二次侧开路下的第二个谐振点对应的电感。
14、可选的，二次侧开路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fgoc1为：
15、
16、其中，c1-c2为简化公式，无实际含义，c10为十电容模型中第一端子的对地电容；c30为十电容模型中第三端子的对地电容；c12为第一端子与第二端子之间的等效电容；c34为第三端子与第四端子之间的等效电容；c14为第一端子与第四端子之间的等效电容；lm为励磁电感。
17、可选的，二次侧短路，接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线的阻抗函数zg1sc为：
18、
19、其中，c1-c5以及ck为简化公式，无实际含义，c10为十电容模型中第一端子的对地电容；c20为十电容模型中第二端子的对地电容；c30为十电容模型中第三端子的对地电容；c40为十电容模型中第四端子的对地电容；c12为第一端子与第二端子之间的等效电容；c13为第一端子与第三端子之间的等效电容；c14为第一端子与第四端子之间的等效电容；c34为第三端子与第四端子之间的等效电容；j为虚数符号，ω为角频率，lσ为漏电感。
20、可选的，二次侧开路，接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线的阻抗函数zgoc为：
21、
22、其中，c1-c2为简化公式，无实际含义，c10为十电容模型中第一端子的对地电容；c30为十电容模型中第三端子的对地电容；c12为第一端子与第二端子之间的等效电容；c34为第三端子与第四端子之间的等效电容；c14为第一端子与第四端子之间的等效电容；lm为励磁电感；j为虚数符号，ω为角频率。
23、第二方面，一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正系统，基于大容量高频变压器十电容模型内变压器的一次侧和二次侧进行电容校正，所述大容量高频变压器十电容模型的电容校正系统包括：
24、原有谐振点方程计算模块，用于基于原有阻抗曲线，计算原有谐振点方程；所述原有谐振点方程包括二次侧开路下，从一次侧测得的原有阻抗曲线中的第一个谐振点方程、二次侧开路下，从一次侧测得的原有阻抗曲线中的第二个谐振点方程以及一次侧开路下，从二次侧侧得到的原有阻抗曲线中第二个谐振点方程；
25、新的阻抗曲线测量模块，用于使用阻抗分析仪测量十电容模型中接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线；所述输入输出端子包括一次侧端子以及二次侧端子；
26、新的谐振点方程计算模块，用于基于所述新的阻抗曲线，计算新的谐振点方程；所述新的谐振点方程包括二次侧短路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程、一次侧短路下，从接地端子和二次侧测本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，基于大容量高频变压器十电容模型内变压器的一次侧和二次侧进行电容校正，所述大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法包括：
2.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧短路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fG1SC-1为：
3.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，一次侧短路下，从接地端子和二次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fG2SC-1为：
4.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧开路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fGOC1为：
5.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧短路，接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线的阻抗函数ZG1SC为：
6.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧开路，接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线的阻抗函数ZGOC为：
7.一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正系统，其特征在于，基于大容量高频变压器十电容模型内变压器的一次侧和二次侧进行电容校正，所述大容量高频变压器十电容模型的电容校正系统包括：
8.一种计算机设备，包括：存储器、处理器以存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1-6中任一项所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-6中任一项所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-6中任一项所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法。
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【技术特征摘要】
1.一种大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，基于大容量高频变压器十电容模型内变压器的一次侧和二次侧进行电容校正，所述大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法包括：
2.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧短路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fg1sc-1为：
3.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，一次侧短路下，从接地端子和二次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fg2sc-1为：
4.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧开路下，从接地端子和一次侧测得的新的阻抗曲线下的第一个谐振点方程fgoc1为：
5.根据权利要求1所述的大容量高频变压器十电容模型的电容校正方法，其特征在于，二次侧短路，接地端子和输入输出端子之间的新的阻抗曲线的阻抗函数zg1sc为：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅家华，刘海东，黄鹤，焦重庆，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：
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