【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法和sicmosfet器件。
技术介绍
1、随着科技和社会发展，现代工业的进步越来越需要高温、高频、高功率器件的支撑，第三代半导体材料sic具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和漂移速率等特性，能够在这类极端场景下良好地工作，进而能为各种应用和系统带来显著的性能提升。在sic功率器件中，sic mosfet（metal oxide semiconductor field effect transistor，功率金属氧化物半导体场效应晶体管）器件是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，sic mosfet器件具有输入阻抗高、开关速度稳定性高、导通电阻低等优点，是最受关注的sic开关器件，可应用于高温、高压、高频等极端工况，被广泛应用于航空航天、工业控制、新能源汽车等领域。然而，相关技术中，在高速开关的工况下，sic mosfet器件易发生雪崩失效，致使sic mosfet器件结温瞬间升高，进而影响sic mosfet器件的可靠性。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层，其朝向所述衬底的垂直投影为第一垂直投影，所述第一垂直投影位于所述JFET区之内；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极的厚度，大于覆盖所述其余所有所述栅氧层的所述栅电极的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层与所述栅氧层的
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述被垂直投影位于所述jfet之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层，其朝向所述衬底的垂直投影为第一垂直投影，所述第一垂直投影位于所述jfet区之内；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述垂直投影位于所述jfet之内的部分所述栅电极的厚度，大于覆盖所述其余所有所述栅氧层的所述栅电极的厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张诗梦，暴杰，林翰东，陈志玉，李双媛，
申请(专利权)人：中国第一汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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