半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备技术

本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备。半导体结构，包括：第一正面晶体管和第二正面晶体管；第一背面晶体管和第二背面晶体管；第一介质墙结构；第一正面晶体管和第二正面晶体管对称设置在第一介质墙结构的两侧；第二介质墙结构；第一背面晶体管和第二背面晶体管对称设置在第二介质墙结构的两侧；第一电源轨结构；第一电源轨结构与正面晶体管的源漏结构或背面晶体管的源漏结构连接；第二电源轨结构；第二电源轨结构与背面晶体管的源漏结构或正面晶体管的源漏结构连接；其中，第一电源轨结构和第二电源轨结构堆叠设置在第一介质墙结构和第二介质墙结构之间；第一电源轨结构的正投影和第二电源轨结构的正投影重叠。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备。

技术介绍

1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。

2、目前，由于晶体管内部多个电源轨和信号线在同一平面排布，限制了晶体管的尺寸微缩，且晶体管内部的互连方案单一。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，可以在缩小半导体结构的尺寸的同时，优化半导体结构的内部互连。

2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构，包括：正面晶体管；正面晶体管为叉形晶体管，包括第一正面晶体管和第二正面晶体管；背面晶体管；背面晶体管为叉形晶体管，包括第一背面晶体管和第二背面晶体管；正面晶体管与背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准；第一介质墙结构；第一正面晶体管和第二正面晶体管对称设置在第一介质墙结构的两侧；第二介质墙结构；第一背面晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述正面晶体管为第一类型晶体管，所述背面晶体管为第二类型晶体管；

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述正面晶体管为第二类型晶体管，所述背面晶体管为第一类型晶体管；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述正面晶体管为第一类型晶体管，所述背面晶体管为第二类型晶体管；

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述正面晶体管为第二类型晶体管，所述背面晶体管为第一类型晶体管；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，卢浩然，郭睿，葛延栋，王润声，黎明，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：