【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所述的实施方案涉及半导体器件。更具体地，本文所述的实施方案涉及用于形成到半导体基板上的晶体管的连接的布局。相关技术描述标准单元是可提供逻辑功能、存储功能等的晶体管、无源结构和互连结构的群组。标准单元方法的当前趋势是朝向减小标准单元的尺寸同时增加标准单元内的复杂性(例如，电路密度和部件数量)。然而，随着标准单元设计变得更小，提供对标准单元内的部件的访问(例如，连接)变得更困难。另外，随着标准单元的尺寸减小，标准单元的性能可变得更受单元内的特性影响。例如，标准单元内的电阻(诸如在金属迹线中或扩散区域与单元中的金属迹线之间的界面中)可降低单元的性能，随着单元变得更小，对性能的影响变得更成问题。因此，减小标准单元内的电阻可提高单元的性能。
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属层定位在所述基板的顶侧。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二金属层定位在所述基板的背侧。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导轨和所述第二导轨是连接到一个或多个功率源的功率导轨。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导轨和所述第二导轨是用于所述源极区域和所述漏极区域的信号导轨。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域经由与所述第一金属层和所述第二金属层两者的相应连接而耦合到所述第一导轨，并且其中所述漏极区...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属层定位在所述基板的顶侧。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二金属层定位在所述基板的背侧。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导轨和所述第二导轨是连接到一个或多个功率源的功率导轨。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一导轨和所述第二导轨是用于所述源极区域和所述漏极区域的信号导轨。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域经由与所述第一金属层和所述第二金属层两者的相应连接而耦合到所述第一导轨，并且其中所述漏极区域经由与所述第一金属层和所述第二金属层两者的相应连接而耦合到所述第二导轨。
7.根据权利要求6所述的装置，所述装置还包括将所述源极区域耦合到所述第一金属层的至少一个通孔和将所述源极区域耦合到所述第二金属层的至少一个通孔。
8.根据权利要求6所述的装置，所述装置还包括将所述漏极区域耦合到所述第一金属层的至少一个通孔以及将所述漏极区域耦合到所述第二金属层的至少一个通孔。
9.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括至少一个通孔，所述至少一个通孔将所述栅极区域耦合到所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者。
10.一种存储多个指令的非暂态计算机可读存储介质，所述多个指令当被执行时生成集成电路器件，所述集成电路器件包括：
11.根据权利要求10所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述源极区域通过所述第一金属层接收来自提供供电电压的功率源的电流的第一部分，并且通过所述第二金属层接收来自提供所述供电电压的所述功率源的所述电流的第二部分。
12.根据权利要求11所述的非暂态计算机可读存储介质，其中基于所述第一金属层的电阻和所述第二金属层的电阻来控制所述电流的所述第一部分和所述电流的所述第二部分。
13.根据权利要求10所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述第一金属层包括耦合到所述第一导轨的功率路由和耦合到所述第二导轨的接地路由，并且其中所述源极区域耦合到所述第一金属层中的所述功率路由，并且所述漏极区域耦合到所述第一金属层中的所述接地路由。
14.根据权利要求10所述的非暂态计算机可读存储介质，其中所述第二金属层包括耦合到所述第一导轨的功率路由和耦合到所述第二导轨的接地路由，并且其中所述源极区域耦合到所述第二金属层中的所述功率路由，并且所述漏极区域耦合到所述第二金属层中的所述接地路由。
15.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
16.根据权利要求15所述的器件，其中所述第一金属层中的所述功率路由和所述接地路由耦合到功率源。
17.根据权利要求16所述的器件，其中所述第二金属层中的所述功率路由和所述接地路由耦合到所述功率源。
18.根据权利要求17所述的器件，其中所述源极区域被配置为通过所述第一金属层中的所述功率路由从所述功率源接收电流的第一部分，并且其中所述源极区域被配置为通过所述第二金属层中的所述功率路由从所述功率源接收所述电流的第二部分。
19.根据权利要求15所述的器件，其中所述第一接触件和所述第二接触件定位在所述晶体管竖直上方的第一绝缘层中，并且其中所述第三接触件和所述第四接触件定位在所述晶体管竖直下方的第二绝缘层中。
20.根据权利要求15所述的器件，其中所述栅极区域经由穿过所述晶体管上方的绝缘层的通孔耦合到所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者。
21.一种装置，所述装置包括：
22.根据权利要求21所述的装置，所述装置还包括连接到所述第一金属层中的第三导线和所述第二金属层中的第四导线的功率导轨，其中所述第一晶体管经由所述第三导线和所述第四导线连接到所述功率导轨。
23.根据权利要求21所述的装置，所述装置还包括形成在所述晶体管区域内的第二晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述水平维度上分离。
24.根据权利要求23所述的装置，其中所述控制信号是在所述第二晶体管的信号输出端与所述第一晶体管的所述信号输入端之间路由的。
25.根据权利要求21所述的装置，所述装置还包括至少一个通孔结构，所述通孔结构将所述第一导线连接到所述第二导线。
26.根据权利要求25所述的装置，其中所述至少一个通孔结构在所述晶体管区域中包括至少一个无源掺杂区域。
27.根据权利要求21所述的装置，其中所述第一金属层定位在所述晶体管区域的顶侧，并且其中所述第二金属层定位在所述晶体管区域的背侧。
28.根据权利要求21所述的装置，其中所述控制信号在所述竖直维度上被路由到所述第一晶体管下方。
29.根据权利要求21所述的装置，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·那拉扬，P·拉格哈万，M·H·阿布拉赫马，A·奥利瓦，A·巴蒂亚，S·纳扎尔，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：
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