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公开了可以在FinFET器件或纳米片FET器件中实现的标准单元布局。该标准单元布局包括来自顶侧金属层和背侧金属层两者的功率源连接。标准单元中的器件可以连接到该顶侧金属层和该背侧金属层两者。各种单元布局可以包括从第一器件传递到背侧层中并且然后...
该专利属于苹果公司所有，仅供学习研究参考，未经过苹果公司授权不得商用。

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