【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
1、随着科学技术不断发展，功率半导体器件的应用范围越来越广，例如，功率半导体器件能够作为整流器、振荡器、发光器、放大器或者测光器等应用于射频、微波和光学半导体产品领域中。在本领域中，功率半导体器件通常包括壳体和封装在壳体内的半导体芯片，通常情况，壳体是由高分子绝缘材料制成，而半导体芯片是通过一个两面覆铜的衬板与壳体的内表面连接，而衬板的设置以及衬板和壳体之间的连接层增加了半导体芯片至壳体的散热路径上的热阻，不利于半导体芯片的散热。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种半导体封装结构，以解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述壳体（10）还包括与所述基板（12）连接的围板（13），所述第一金属连接部（31）和所述第二金属连接部（41）沿第一预设方向间隔设置，所述第一绝缘凸块（51）沿第二预设方向延伸，所述第一绝缘凸块（51）的两端分别与所述围板（13）相对的两个内表面连接，其中，所述第二预设方向与所述第一预设方向成夹角设置。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括第三金属连接部（61）和第三端子（62），所述第三金属连接部（61）...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述壳体（10）还包括与所述基板（12）连接的围板（13），所述第一金属连接部（31）和所述第二金属连接部（41）沿第一预设方向间隔设置，所述第一绝缘凸块（51）沿第二预设方向延伸，所述第一绝缘凸块（51）的两端分别与所述围板（13）相对的两个内表面连接，其中，所述第二预设方向与所述第一预设方向成夹角设置。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括第三金属连接部（61）和第三端子（62），所述第三金属连接部（61）与所述第二金属连接部（41）间隔设置，第三金属连接部（61）与所述第二金属连接部（41）位于所述第一绝缘凸块（51）的同一侧，所述第三金属连接部（61）与所述第一半导体芯片（20）的第三极电连接，所述第三端子（62）与所述第三金属连接部（61）连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述壳体（10）还包括与所述基板（12）连接的围板（13），所述围板（13）上设置有第一通孔，所述第一端子（32）穿过所述第一通孔，所述半导体封装结构还包括第一绝缘围板（15），所述第一绝缘围板（15）连接在所述围板（13）的外表面并围设在所述第一通孔处。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一端子（32）为长板状结构，所述第一端子（32）包括呈角度设置的第一板段（321）和第二板段（322），所述第一板段（321）与所述第一金属连接部（31）连接，所述第二板段（322）从所述第一通孔穿出，所述第一板段（321）遮挡设置在所述第一通孔处。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述壳体（10）还包括与所述围板（13）连接的盖板（11），所述第一通孔连通所述围板（13）靠近所述盖板（11）的端面，所述第一绝缘围板（15）包括对接连接的第一围板段（151）和第二围板段（152），所述第一围板段（151）连接在所述围板（13）上，所述第二围板段（152）连接在所述盖板（11）上。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖板（11）的内表面上设置有容纳所述第二板段（322）的定位槽（110），所述定位槽（110）与所述第二围板段（152）对应设置。
8.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括设置在所述围板（13）的内表面的绝缘凸起（16），所述绝缘凸起（16）位于所述第一端子（32）和所述第二端子（42）之间。
9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文源，李哲洋，李浩，李学宝，金锐，崔翔，赵志斌，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：
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