【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器的,具体涉及一种差分电容式传感器及其连接柱成型方法。
技术介绍
1、如图1所示,mems麦克风由mems sensor(mems芯片)、asic芯片(接口电路专用芯片)、封装三部分组成,mems麦克风性能主要由mems芯片决定,通常mems芯片主要包含振膜、背板、衬底三个部分,背板上具有通孔,振膜和背板构成平板电容,振膜或背板上施加偏置电压,声压作用于振膜,使振膜与背板间距离发生变化,从而导致电容发生变化,产生电压信号的输出。
2、对于传统的单层振膜结构的mems芯片,由于振膜和背板间具有空气间隙,振膜与背板间的空气间隙会产生压膜阻尼,导致麦克风具有较大的本底噪声。为解决该问题,公开号为cn118158603a的专利公开了一种具有双层振膜结构的mems芯片,其通过在背板两侧分别设置一层振膜,两层振膜的边沿密封连接使两层振膜之间形成低压密封空腔,从而降低振膜与背板之间的空气压膜阻尼,降低本底噪声。同时,两层振膜之间通过连接柱连接来实现机械耦合,使两层振膜同步振动,以实现差分信号的输出,抵消掉噪声信号的干扰。
3、对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种差分电容式传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述连接柱(4)还包括填充于所述连接管(41)内的芯体(43)。
3.根据权利要求2所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述芯体(43)材料的介电常数小于所述连接管(41)材料的介电常数。
4.根据权利要求2所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述芯体(43)材料和所述连接管(41)材料具有刻蚀选择比。
5.根据权利要求1所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述连接管(41)和所述连接块(42)一体成型。
6.
...【技术特征摘要】
1.一种差分电容式传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述连接柱(4)还包括填充于所述连接管(41)内的芯体(43)。
3.根据权利要求2所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述芯体(43)材料的介电常数小于所述连接管(41)材料的介电常数。
4.根据权利要求2所述的差分电容式传感器,其特征在于:所述芯体(43)材料和所述连接管(41)材料具有刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:石正雨,朱莉莉,黄湘俊,胡绍璐,
申请(专利权)人:湖北九峰山实验室,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。