半导体装置制造方法及图纸

提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一接触件结构，在有源图案的中心部分上；位线结构，在第一接触件结构上；间隔件结构，在位线结构的侧壁上和第一接触件结构的侧壁上，并且包括在与基底的上表面平行的水平方向上顺序地堆叠的第一间隔件、第二间隔件、蚀刻停止图案和第三间隔件；第二接触件结构，在有源图案的端部上；以及电容器，在第二接触件结构上。第一间隔件的最下表面可以低于第二间隔件的最下表面，并且蚀刻停止图案和第三间隔件的下表面可以高于第二间隔件的最下表面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地，本公开的示例实施例涉及一种dram装置。

技术介绍

1、dram装置包括栅极结构、位线结构、接触插塞结构和电容器，栅极结构在第一方向上延伸穿过有源图案的上部，位线结构在有源图案的中心部分上，每个位线结构在第二方向上延伸，接触插塞结构分别在有源图案中的对应的有源图案的相对端部上，电容器分别在接触插塞结构中的对应的接触插塞结构上。

2、由于dram装置已经高度集成，因此接触插塞结构接触有源图案的面积减小，使得接触插塞结构与有源图案之间的电连接可能较差。

技术实现思路

1、示例实施例提供了具有提高的电特性的半导体装置。

2、根据示例实施例，提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一导电接触件，在有源图案的中心部分上；位线结构，在第一导电接触件上；间隔件结构，在位线结构的侧壁上和第一导电接触件的侧壁上，并且包括在与基底的上表面平行的水平方向上顺序地堆叠的第一间隔件、第二间隔件、蚀刻停止图案和第三间隔件；第二导电接触件，在有源图案的端部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案的下表面与第三间隔件的下表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二间隔件的最下表面与第二导电接触件的下表面共面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二导电接触件包括沿着与基底的上表面垂直的竖直方向布置的下部和上部，并且

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案的下表面和第三间隔件的下表面接触第二导电接触件的下部的上表面。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：栅栏图案，包括沿着竖直方向布置的下部和上部，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案的下表面与第三间隔件的下表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二间隔件的最下表面与第二导电接触件的下表面共面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二导电接触件包括沿着与基底的上表面垂直的竖直方向布置的下部和上部，并且

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，蚀刻停止图案的下表面和第三间隔件的下表面接触第二导电接触件的下部的上表面。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：栅栏图案，包括沿着竖直方向布置的下部和上部，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，栅栏图案的最下表面和最上表面分别与第二导电接触件的最下表面和最上表面共面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：缓冲器堆叠件，在基底与位线结构之间，缓冲器堆叠件的上表面与第一导电接触件的上表面共面，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，缓冲器堆叠件的下表面高于第一导电接触件的下表面。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，缓冲器堆叠件包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上顺序地堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟珉，李明东，高承甫，安东赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：