【技术实现步骤摘要】
本公开涉及芯片上系统或片上系统(soc)及其运行方法。
技术介绍
1、在片上系统(soc)中，可以增大处理器面积以优化soc的性能。由于工艺细化和/或工作频率提高，漏电可能会增加。
技术实现思路
1、本公开的实施例可以提供一种用于减小漏电流的片上系统(soc)和/或其运行方法。
2、根据实施例，一种soc包括：处理器，所述处理器连接到多个开关，所述多个开关被配置为调节到所述处理器的供应电压；稳压器，所述稳压器被配置为施加用于控制所述多个开关中的至少一个开关的控制信号；以及电压下垂(voltage droop)检测器，所述电压下垂检测器连接到所述稳压器和所述处理器，并且被配置为当从所述处理器检测到电压下垂时向所述稳压器发送电压下垂检测信号。所述稳压器可以在接收到所述电压下垂检测信号时基于所述控制信号来使所述多个开关当中的预定数目的开关接通。
3、根据实施例，一种soc包括：处理器，所述处理器连接到多个开关，所述多个开关被配置为调节到所述处理器的供应电压；温度测量模块，...
【技术保护点】
1.一种片上系统，所述片上系统包括：
2.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
3.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
4.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
5.根据权利要求1所述的片上系统，所述片上系统还包括：
6.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
7.根据权利要求6所述的片上系统，
8.根据权利要求5所述的片上系统，其中，
9.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
10.一种片上系统，所述片上系统包括：
11.根据权利要求10所述的片上
...【技术特征摘要】
1.一种片上系统，所述片上系统包括：
2.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
3.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
4.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
5.根据权利要求1所述的片上系统，所述片上系统还包括：
6.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
7.根据权利要求6所述的片上系统，
8.根据权利要求5所述的片上系统，其中，
9.根据权利要求1所述的片上系统，其中，
10.一种片上系统，所述片上系统包括：
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李益洙，高俊圭，金世基，孙裕硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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