【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种图像传感器。
技术介绍
1、背照式图像传感器为了实现光学隔离，避免光学串扰，普遍采用背面金属格栅(backside metal grid)实现相邻像素单元之间的光学隔离。
2、如图1所示，图像传感器包括衬底11以及形成于衬底11上的氧化硅层12和金属格栅13，氧化硅层12覆盖衬底11和金属格栅13。当光从氧化硅层12表面入射后，部分光会被金属格栅13吸收，导致入射至衬底11中的光子减少，进而导致量子效率降低。
3、因此，如何在实现光学隔离的同时，还能提升量子效率成为亟须解决的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种图像传感器，能够在实现光学隔离的同时，还能提升量子效率。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种图像传感器，包括：
3、衬底；
4、第一透明材料层，形成于所述衬底上；
5、沟槽，形成于所述第一透明材料层中，所述沟槽贯穿或不贯穿所述第一透明材料层，所述沟槽作为格栅。
...【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透明材料层还覆盖所述沟槽的侧壁。
4.如权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透明材料层的折射率小于所述第一透明材料层的折射率。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽的深宽比为10～50。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透明材料层还覆盖所述沟槽的侧壁。
4.如权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二透明材料层的折射率小于所述第一透明材料层的折射率。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
6.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：关富升，潘冬，刘珩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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