【技术实现步骤摘要】
本公开属于微机电，具体涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、半导体器件的开态电阻是一个非常重要的参数，它影响着半导体器件的插损、线性度、响应时间等性能，研究如何降低半导体器件的开态电阻是非常必要的。开态电阻的主要来源是正载流子区与负载流子区的串联电阻，其中正载流子区与负载流子区的串联电阻受到有源层厚度、沟道宽度、加工精度造成的偏置电压(cd bias)、注入的有效载流子浓度、载流子激活程度的影响，对水平结构的玻璃基低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)器件来说，受限于当前面板厂设备、材料及工艺水平、有源层厚度、cd bias等条件，载流子激活温度是不易改变的，宽度也受到器件尺寸缩微的制约应该尽量小，尽可能增加载流子注入浓度成为降低电阻的有效手段，一般来说，尽可能增大最大注入剂量可以保证载流子注入浓度，但是不同于硅基器件的体结构，对玻璃基器件来说注入剂量的增加并不代表着一定可以提高载流子有效注入水平，过高的剂量会引起ltps材料的非晶化损伤，电阻反而会增加，并且还会增加ltps...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括基底，以及依次叠层设置在所述基底上的半导体层、第一层间绝缘层和连接电极层；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层间绝缘层包括叠置的第一子绝缘层和第二子绝缘层；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层背离所述半导体层的一侧，且所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层为一体化结构。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一子绝缘层的厚度为20-30nm。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二子绝缘层的厚度为50-60nm。>
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括基底，以及依次叠层设置在所述基底上的半导体层、第一层间绝缘层和连接电极层；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层间绝缘层包括叠置的第一子绝缘层和第二子绝缘层；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层背离所述半导体层的一侧，且所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层为一体化结构。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一子绝缘层的厚度为20-30nm。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二子绝缘层的厚度为50-60nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括射频开关，所述半导体层还包括位于所述n型半导体和所述p型半导体之间的本征半导体。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述本征半导体的至少部分位于所述第一区域。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括反相器，所述反相器包括并排设置的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭威，韩遇，李泽源，孟虎，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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