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本公开提供一种半导体器件,包括基底,以及依次叠层设置在基底上的半导体层、第一层间绝缘层和连接电极层;半导体层包括并排设置的N型半导体和P型半导体;连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极,第一连接电极通过贯穿第一层间绝缘层的第一通孔与N型半...该专利属于北京京东方技术开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京京东方技术开发有限公司授权不得商用。
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本公开提供一种半导体器件,包括基底,以及依次叠层设置在基底上的半导体层、第一层间绝缘层和连接电极层;半导体层包括并排设置的N型半导体和P型半导体;连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极,第一连接电极通过贯穿第一层间绝缘层的第一通孔与N型半...