功率模块和功率模块的制造方法技术

本申请涉及一种功率模块和功率模块的制造方法。所述功率模块，包括：塑封结构，包括芯片和衬板，所述芯片固定在所述衬板上；散热装置，包括上腔体和下腔体，所述塑封结构固定于所述上腔体上，所述上腔体和所述下腔体分别形成一层微流道，用于对所述塑封结构中的芯片进行散热。本申请中的功率模块能够提高散热能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及功率模块，特别是涉及一种功率模块和功率模块的制造方法。

技术介绍

1、在“碳达峰、碳中和”的双碳战略目标背景下，节能降耗成为各领域产业发展关注的焦点。变频技术在节能低碳方面的应用举足轻重，极大地推动了其核心部件功率模块的发展。第三代半导体，即宽禁带半导体，是指禁带宽度大于3.0 ev的半导体材料，其中碳化硅(sic)材料得到了广泛的关注，与第一代半导体材料si相比，sic材料有更大的禁带宽度、更高的击穿场强与更高的热导率。以sic为首的第三代半导体逐渐应用于各种产品中，其中为适配800v高压平台，车用功率模块中sic用量增长更为迅速。

2、传统的si基芯片功率模块的散热装置一般采用pinfin针翅型散热底板，若采用sic芯片，虽然会获得更高的性能，但同时也会导致局部产热量急剧上升，传统的pinfin针翅型散热底板的散热能力不足，不再能满足性能需求。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高散热能力的功率模块和功率模块的制造方法。

2、第一方面，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述上腔体和所述下腔体之间设置有隔板，所述隔板上均匀设置有多个通孔。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述下腔体的一侧设置有入水孔，所述上腔体在所述入水孔的相对一侧设置有出水孔；

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块，包括分段设置的多个塑封结构；

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述下腔体的一侧设置有入水孔；远离所述入水孔的上腔体在所述入水孔的相对一侧设置有出水孔；

6.根据权利要求1至5任意一项...

【技术特征摘要】

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述上腔体和所述下腔体之间设置有隔板，所述隔板上均匀设置有多个通孔。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述下腔体的一侧设置有入水孔，所述上腔体在所述入水孔的相对一侧设置有出水孔；

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块，包括分段设置的多个塑封结构；

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述下腔体的一侧设置有入水孔；远离所述入水孔的上腔体在所述入水孔的相对一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：鱼欢，暴杰，解锟，任志恒，姚强，
申请(专利权)人：中国第一汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：