半导体封装结构及形成半导体封装结构之方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括第一半导体结构、介电接合结构、第二半导体结构、及导通通孔结构。第一半导体结构包括第一基板及位于第一基板上的第一后段制程(BEOL)结构。介电接合结构位于第一半导体结构上。第二半导体结构具有位于介电接合结构上的第二BEOL结构及位于第二BEOL结构上的第二基板。导通通孔结构穿透第二半导体结构及介电接合结构以以连接第一BEOL结构及第二BEOL结构。本发明专利技术还提供一种形成半导体封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构，特别是所述半导体封装结构包括一个或多个用于电性连接堆叠半导体晶圆的氧化物通孔(tov)。通过使用tov，可以显著降低对于高性能计算(hpc)和/或人工智能(ai)等应用中，对半导体晶圆进行堆叠的成本。

技术介绍

1、半导体封装结构是指将半导体装置封装在保护外壳中，以防止外部损坏并便于将其整合到电子系统中的过程。

2、在一些例子中，异质整合技术帮助半导体公司组合基于各种功能的小芯片(chiplet)，使所述组合能够像单一产品一样运作。在诸如高性能计算和人工智能这样的应用中，对晶体管的需求以指数增长的速率持续增加，而利用传统的二维缩放来缩小晶体管的能力正在减缓并变得更加昂贵。在一些比较实施例中，芯片制造商可会使用硅通孔(tsv)和及/或混合接合将芯片整合到先进的2.5d和3d封装结构中。相较于传统的芯片在印刷电路板(pcb)上的电性连接方法，硅通孔允许设计者提高性能并减少功耗。

技术实现思路

1、本专利技术的一种例示的态样中，提供一种半导体封装结构。所述半导体封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装结构，其包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二基板是具有一介电填充结构形成于其中的半导体基板，及所述第二基板中的导通通孔结构之一部分是被所述介电填充结构所环绕。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中所述第二后段制程结构包括介电结构，及其中所述导通通孔结构是被布置为穿透所述介电填充结构、所述介电结构、及所述介电接合结构。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导通通孔结构的侧向表面是接触于所述第二后段制程结构的金属层。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一半导体结构包括逻辑处理...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装结构，其包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二基板是具有一介电填充结构形成于其中的半导体基板，及所述第二基板中的导通通孔结构之一部分是被所述介电填充结构所环绕。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中所述第二后段制程结构包括介电结构，及其中所述导通通孔结构是被布置为穿透所述介电填充结构、所述介电结构、及所述介电接合结构。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导通通孔结构的侧向表面是接触于所述第二后段制程结构的金属层。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一半导体结构包括逻辑处理器，及所述第二半导体结构包括dram。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述导通通孔结构是至少部分地被自所述第二后段制程结构的所述金属层所延伸出的导电图案所环绕。

7.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中所述介电填充结构是由第一介电材料所组成，及所述第一介电材料的介电常数是小于2.5、介于2.5至3.8间、或介于3.8至4.7间。

8.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中所述导通通孔结构的圆周的至少1/5是接触于所述第二后段制程结构的所述金属层。

9.如权利要求1所述的半导体封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文良，刘景宏，钟基伟，蔡茹宜，
申请(专利权)人：爱普科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：