【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、对于al-bsf(aluminum back surface field，铝背表面场)、perc(passivatedemitter and rear cell，背面钝化太阳能电池)、topcon(tunnel oxide passivatedcontact，隧穿氧化层钝化接触)等太阳能硅晶电池，磷扩工艺过程中产生的磷硅玻璃层(psg，phosphorus-silicate glass)或硼扩工艺过程中产生的硼硅玻璃层(bsg，boro-silicate glass)会直接经过酸洗除去，而对于bc(back contact，背接触)电池则可以将磷硅玻璃层或硼硅玻璃层作为掩膜层加以利用，以缩短工艺流程及成本。然而，在后续湿法刻蚀过程中，如果psg或bsg耐碱保护性差将导致下方多晶硅层(polysilicon layer)被腐蚀，导致电池效率损失及漏电严重，因此提高psg或bsg的耐碱保护性，以提高多晶硅层的质量至关重要。
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【技术保护点】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，0°≤α≤30°；
3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，0°≤α≤10°；和/或，80°≤β≤90°。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，将所述硅片以第一位置放置，利用低压化学气相沉积工艺形成所述隧穿氧化层和所述本征非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片以所述第一位置放置，依次形成所述隧穿氧化层和本征非晶硅层，包括：
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，0°≤α≤30°；
3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，0°≤α≤10°；和/或，80°≤β≤90°。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，将所述硅片以第一位置放置，利用低压化学气相沉积工艺形成所述隧穿氧化层和所述本征非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片以所述第一位置放置，依次形成所述隧穿氧化层和本征非晶硅层，包括：
6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片以所述第二位置放置，对所述本征非晶硅层进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：李振国，熊祖劲，徐新星，於龙，王涛，代囟，张学成，童洪波，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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