提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法技术

本发明专利技术提供了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道；在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层；光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并实现器件隔离；光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离形成源漏欧姆接触；沉积介质作为栅钝化层；光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；光刻出栅极窗口，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积钝化层；光刻出电极图形，刻蚀腐蚀出电极。本发明专利技术能够实现氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法。

技术介绍

1、卫星通讯、电力电子等系统的发展对半导体功率器件提出了更高的要求。金刚石材料的禁带宽度大，击穿电场高，热导率高，电子和空穴迁移率高，可以减少系统的散热设备，减轻设备质量，应用在射频领域和电力电子领域都具有巨大的优势。由于金刚石n型掺杂载流子激活率低，p型掺杂载流子迁移率低，目前的金刚石器件主要基于氢终端形成的二维空穴气。

2、氢终端金刚石表面二维空穴气作为导电沟道为金刚石器件实现打开了一扇窗。但是氢终端金刚石形成的二维空穴气位于金刚石表面或者近表面，其导电特性受外界环境影响，介质钝化几乎是所有半导体器件必不可少的工艺。但是氢终端金刚石表面碳悬挂键基本都被氢钝化，导致介质沉积在氢终端金刚石表面只能形成范德华力，粘附性差，稳定性差。基于此，本专利技术了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术实施例提供一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤一中，生长温度为550-650℃，生长时间为8-10min，外延一层氢终端金刚石。

3.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤二中，涂敷的所述偶联剂为经过稀释的四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。

4.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤四中源漏欧姆接触的制备，采用Al、Si、Ti、Pt、Au、I...

【技术特征摘要】

1.一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤一中，生长温度为550-650℃，生长时间为8-10min，外延一层氢终端金刚石。

3.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤二中，涂敷的所述偶联剂为经过稀释的四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。

4.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤四中源漏欧姆接触的制备，采用al、si、ti、pt、au、ir中的一种或者几种组合，经过或者不经过高温合金退火形成。

5.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，其特征在于，步骤四中，在退火炉中450-550℃退火25-35min，形成源漏欧姆接触。

6.如权利要求1所述的提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周闯杰，何泽召，蔚翠，余浩，刘庆彬，马孟宇，李鹏雨，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：