【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳电池，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。
技术介绍
1、太阳电池是通过光电效应直接把光能转化成电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳电池。
2、太阳电池的硅基底一般采用p型硅基底或n型硅基底。不管是p型硅基底还是n型硅基底，在硅单晶体的生长过程都要掺入相关的元素，由于硅单晶体的生长过程比较复杂，导致掺入元素在硅单晶体的径向或纵向分布不同，使得从一根硅棒切下来的硅片的电阻率各有不同，而且就单一硅片而言，从硅片中心到硅片边缘电阻率也会不同，如此，不仅会导致太阳电池制备工艺的复杂化，还会影响太阳电池的转换效率。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。
2、第一方面，本申请实施例提供一种太阳电池，包括：
3、本征半导体基底，包括本征区、第一面和第二面，所述第一面和所述第二面设于所述本征半导体基底的相对两侧，所述...
【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述本征区的电阻率大于100Ω·cm；
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述本征半导体基底的厚度介于50μm-300μm。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构的掺杂浓度介于3×1018㎝-3-5×1020㎝-3；
5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构靠近所述第一面的一侧与所述第一掺杂结构远离所述第一面的一侧之间具有第一尺寸，所述第一尺寸介于5nm-5000nm；
<...【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述本征区的电阻率大于100ω·cm；
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述本征半导体基底的厚度介于50μm-300μm。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构的掺杂浓度介于3×1018㎝-3-5×1020㎝-3；
5.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构靠近所述第一面的一侧与所述第一掺杂结构远离所述第一面的一侧之间具有第一尺寸，所述第一尺寸介于5nm-5000nm；
6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括第三掺杂结构，所述第三掺杂结构具有第二掺杂类型，且设于所述第一掺杂结构的远离所述本征区的一侧；
7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括第四掺杂结构，所述第四掺杂结构具有第一掺杂类型，且设于所述第二掺杂结构的远离所述本征区的一侧；
8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构嵌设于所述本征半导体基底内，且位于所述本征区和所述第一面之间。
9.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述第二掺杂结构嵌设于所述本征半导体基底内，且位于所述本征区和所述第二面之间。
10.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述第二掺杂结构设于所述第二面的远离所述第一面的一侧。
11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括第一隧穿层，所述第一隧穿层设于所述第二面，所述第二掺杂结构设于所述第一隧穿层的远离所述第一面的一侧。
12.根据权利要求9-11任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：
13.根据权利要求1-7任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺杂结构设于所述第一面的远离所述第二面的一侧。
14.根据权利要求13所述的太阳电池，其特征在于，所述第二掺杂结构设于所述第二面的远离所述第一面的一侧。
15.根据权利要求14所述的太阳电池，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈辉，朱广霞，
申请(专利权)人：长三角太阳能光伏技术创新中心，
类型：发明
国别省市：
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