【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体用黏合膜、切割晶粒接合膜、及使用这些制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、已普及通过层叠为多层而成的半导体芯片实现高容量化的层叠式mcp(multichip package：多芯片封装)。作为层叠式mcp的例子，可举出导线(wire)埋入型及芯片埋入型的半导体封装件。导线通过黏合膜被埋入的半导体封装件的结构有时被称为fow(filmover wire：导线包裹膜)。半导体芯片通过黏合膜被埋入的半导体封装件的结构有时被称为fod(film over die：芯片包裹膜)。作为采用fod的半导体封装件的一例，有具有配置于最下层的控制器芯片和将其埋入的黏合膜的半导体封装件(参考专利文献1)。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2014-175459号公报
5、专利文献2：日本专利第5736899号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在具有fod或fow的结构的半导体封装件的...
【技术保护点】
1.一种半导体用黏合膜，其含有热固性成分，
2.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有50～150μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入其他半导体芯片的同时将半导体芯片黏合于基板上。
4.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有25～80μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的一部分或整体的同时将半导体芯片黏合于所述其他半导体芯片上。
6.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其还含有弹性体，以该黏合膜的质量为基准，所述弹性...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体用黏合膜，其含有热固性成分，
2.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有50～150μm的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入其他半导体芯片的同时将半导体芯片黏合于基板上。
4.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其具有25～80μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其用于在埋入与其他半导体芯片连接的导线的一部分或整体的同时将半导体芯片黏合于所述其他半导体芯片上。
6.根据权利要求1所述的半导体用黏合膜，其还含有弹性体，以该黏合膜的质量为基准，所述弹性体的含量为10～60质量％。
7.根据权利要求6所述的半导体用黏合膜，其中，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：国土由衣，中村奏美，崔咳谧，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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