【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种单晶硅收尾控制方法。
技术介绍
1、晶棒是晶圆制作的主要原材料，目前晶棒主要是通过拉晶工艺制成。
2、以硅晶棒为例，拉晶是指通过长条单晶的硅种和液态熔融的硅液表面接触，同时长条单晶一边旋转一边缓慢地向上拉起，使得液态硅液结晶形成圆柱状的晶棒的过程。
3、拉晶等径工序完成后，晶棒晶体与液态硅液液面需要分离，在分离过程中，已生长的无位错单晶受到热冲击，其热应力大于硅临界应力时会产生位错，致使晶体失去完整单晶结构，故拉晶等径工序结束后都需要进行专门的收尾工艺，以使得晶体和液面慢慢脱开，避免已生成的单晶晶体受到热冲击而产生位错缺陷。
4、现有的拉晶收尾方式通常是通过调整晶棒的拉速实现晶棒尾部形状的控制。以硅晶棒为例，单晶硅的熔点大约为1420℃，晶棒生长出来后，温度从1420℃-600℃缓慢降低时，每当冷却到不同的温度区间时，会形成不同的缺陷。收尾时晶棒拉速的波动会导致晶棒尾部的温度波动，进而导致晶棒尾部等径部分产生缺陷单晶，即导致晶棒的缺陷长度占比较大。
5、因...
【技术保护点】
1.一种单晶硅收尾控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，所述收尾速度与晶棒的等径圆柱段形成时的等径拉速相同。
3.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，所述基础形状配置为：随收尾段长度变长所述晶棒收尾段的直径线性变小。
4.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，通过以下步骤调整埚跟比：
5.如权利要求4所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，通过PID算法基于所述直径偏差值计算所需要调整的埚跟比。
6.如权利要求5所述的单晶硅收尾控制...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅收尾控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，所述收尾速度与晶棒的等径圆柱段形成时的等径拉速相同。
3.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，所述基础形状配置为：随收尾段长度变长所述晶棒收尾段的直径线性变小。
4.如权利要求1所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，通过以下步骤调整埚跟比：
5.如权利要求4所述的单晶硅收尾控制方法，其特征在于，通过pid算法基于所述直径偏差值计算所需要调整的埚跟比...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵言，冯睿超，金光勳，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。