下载单晶硅收尾控制方法的技术资料

文档序号:43303430

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本发明涉及半导体技术领域,提供了一种单晶硅收尾控制方法,包括以下步骤:设定收尾速度并设定晶棒收尾段的基础形状,以收尾速度匀速提拉晶棒;检测收尾段的生成位置的实时收尾直径;计算所述基础形状对应所述生成位置处的设定直径与所述实时收尾直径的直径偏...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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