【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米计量溯源,尤其是涉及一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法。
技术介绍
1、随着纳米科技的迅猛发展,纳米制造已成为了许多领域的关键技术,包括电子、医疗、材料科学等。纳米制造涉及到纳米级尺度下的物质组装、加工和操控,其中长度的精确测量是确保产品质量和性能的基础。在纳米尺度下微小的尺寸变化可能导致物质性质的显著变化,例如纳米线、纳米颗粒和纳米薄膜等纳米材料的尺寸对其性能具有重要影响,因此需要进行精确的尺寸测量来保证其制备质量。计量学中的溯源性指的是测量结果可以追溯到国际或国家标准的能力,这对于确保测量结果的可靠性、可比性和可信度至关重要。在不同实验室、不同仪器之间进行测量时,可溯源确保了测量结果可以追溯到统一标准,从而保证了不同实验室、不同仪器之间的测量结果的一致性和可比性。
2、对于长度计量溯源链,量值传递的起点是国际单位制中“米”的定义→激光波长等计量基准→计量型测试仪器→标准样本→日常测量仪器。“米”定义的发展经历了漫长而复杂的历史过程,其最初定义为巴黎经线的一千万分之一。1889年第一届国际计量
...【技术保护点】
1.一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述原子光刻技术使用的原子种类是铬、铝或铁的任一种。
3.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:利用软X射线干涉光刻技术对掩膜光栅周期进行倍频,制备得到硅光栅。
4.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于:所述步骤S2中制备的硅光栅能在同一帧TEM图像中观
...【技术特征摘要】
1.一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,所述步骤s1中,所述原子光刻技术使用的原子种类是铬、铝或铁的任一种。
3.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于,所述步骤s2具体为:利用软x射线干涉光刻技术对掩膜光栅周期进行倍频,制备得到硅光栅。
4.根据权利要求1所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于:所述步骤s2中制备的硅光栅能在同一帧tem图像中观察到至少一个周期的硅光栅结构和硅晶格结构。
5.根据权利要求4所述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法,其特征在于:所述硅晶格的晶向是<100>、<110>和&l...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓晓,程鑫彬,李同保,唐朝辉,薛栋柏,肖光旭,尹志珺,
申请(专利权)人:同济大学,
类型:发明
国别省市:
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