【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光材料，具体涉及一种杂环化合物及其有机电致发光器件。
技术介绍
1、有机电致发光器件(organic light-emitting diode，oled)又称为有机电致发光二极管，因其具有质量轻、响应速度快、分辨率高、色纯度好、低功耗等优势，引起了广泛的关注，并应用于照明、显示、平面光源等多个领域。
2、有机电致发光器件的发光原理是在外加电场的作用下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，经过空穴传输区域和电子传输区域进入发光层，电子和空穴复合产生激子，激子发生辐射衰减而发光。其中空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等；电子传输区域包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。而目前所使用的电子传输材料存在电子迁移率低、能级不匹配等问题，导致出现电子注入势能提高，器件内电子和空穴传输不平衡，空穴向电子传输层一侧扩散等问题，严重影响了器件的性能。
3、为了进一步提高有机电致发光器件的性能，可采用叠层有机电致发光器件，即在阴极和阳极之间设置两个或多个发光层堆叠体，并利用电荷生成层将其串联。在外加电场的作用下，电荷生成层产生的电子和空穴分别注入到相邻的发光单元，并在发光单元内复合成激子发光。因此，电荷生成层材料选择和设计是影响叠层有机电致发光器件性能的关键因素。电荷生成层可分为n型电荷生成层和p型电荷生成层。其中，n型电荷生成层材料不仅需要在外加电场下具有很强的产生电子能力，也需要和其相邻的有机功能层具有匹配的能级，以便于电子的有效传输，维持器件内部的电荷平衡，进而提高叠层有机电致发
4、综上所述，需要研发和设计出性能优异的电子传输材料、空穴阻挡材料以及n型电荷生成层材料，改善有机电致发光器件存在的问题，从而提高有机电致发光器件的性能。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种杂环化合物及其有机电致发光器件。
2、本专利技术提供了一种杂环化合物，由下述式1表示，
3、
4、其中，所述x相同或不同的选自crc或n，且至少一个x选自n，最多三个x选自n，并且与l0、l1、l2键合的x选自c原子；
5、所述rc选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；
6、所述ar1选自如下式1-a或式1-b所示基团，
7、
8、所述y选自o或s；所述z相同或不同的选自cr0或n，且与l1键合的z选自c原子；
9、所述r0选自氢、氘、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；
10、所述r1选自氢、氘、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；
11、所述ra、rb相同或不同的选自取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；所述“取代或未取代的c2～c30的杂芳基”选自取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的邻菲啰啉基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并噻唑基中的一种；或者所述ra、rb所对应的c原子为与l2的连接位点，或者相邻ra、rb键合形成下列脂环或螺环结构中的一种，
12、
13、所述rq相同或不同的选自氢、氘、卤素、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；
14、所述r2、r3相同或不同的选自氢、氘、卤素、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个r3键合形成取代或未取代的环；所述“取代或未取代的”取代基选自氢、氘、卤素、c1～c30的烷基、c3～c30的环烷基、c6～c30的芳基、c2～c30的杂芳基、c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种；
15、所述n1选自0、1、2或3；所述n2选自0、1、2、3或4；
16、所述q1选自0、1、2、3或4；所述q2选自0、1、2、3、4、5或6；所述q3选自0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述q4选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述q5选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12；所述q6选自0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14；所述q7选自0、1或2；
17、所述ar选自式1-a、式1-b或者如下所示基团中的一种，
18、
19、所述v相同或不同的选自crd或n，且与l0键合的v选自c原子；
20、所述w选自o、s、crfrg或nrh；
21、所述rd相同或不同的选自氢、氘、氰基、卤素、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻两个rd键合形成取代或未取代的脂环或芳环；
22、所述rf、rg相同或不同的选自氢、氘、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的c3～c30的环烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30的杂芳基、取代或未取代的c3～c30的脂环与c6～c30的芳环的稠合环基中的一种，或者相邻rf、rg键合形成取代或未取代的环本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种杂环化合物，其特征在于，由下述式1表示，
2.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述式1-a选自如下所示基团中的一种，
3.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述选自如下所示基团中的一种，
4.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述Ar选自式1-a、式1-b或者如下所示基团中的一种，
5.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述L2选自如下所示基团中的一种或其组合，
6.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述L0、L1相同或不同的选自单键，或如下所示基团中的一种或其组合，
7.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述杂环化合物选自如下所示结构中的任意一种，
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机物层，所述有机物层含有权利要求1～7任一项所述的杂环化合物。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机物层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述有机物层包括发射第一颜色的光的第一堆叠体和发射第二颜色的光的第二堆叠体，以及位于第一堆叠体与第二堆叠体之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括与第一堆叠体相邻设置的N型电荷生成层和与第二堆叠体相邻设置的P型电荷生成层，所述N型电荷生成层含有权利要求1～7任一项所述的杂环化合物。
...【技术特征摘要】
1.一种杂环化合物，其特征在于，由下述式1表示，
2.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述式1-a选自如下所示基团中的一种，
3.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述选自如下所示基团中的一种，
4.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述ar选自式1-a、式1-b或者如下所示基团中的一种，
5.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述l2选自如下所示基团中的一种或其组合，
6.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述l0、l1相同或不同的选自单键，或如下所示基团中的一种或其组合，
7.根据权利要求1所述的杂环化合物，其特征在于，所述杂环化合物选自如下所示结构中的任意一种，
8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗玉鹤，郭建华，董秀芹，孙月，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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