一种预失真电路及预失真电路架构制造技术

技术编号:43291207 阅读:21 留言:0更新日期:2024-11-12 16:11
本申请公开了一种预失真电路及预失真电路架构,涉及射频通信技术领域。该预失真电路应用于射频晶体管;所述预失真电路包括电感模块和可变电阻模块;所述电感模块的第一端与第一目标节点电连接,所述电感模块的第二端与第二目标节点电连接,所述可变电阻模块并联在所述电感模块两端;其中,所述第一目标节点与信号源电连接,用于接收所述信号源发送的射频输入信号,所述第二目标节点与所述射频晶体管的输入端电连接;或者,所述第一目标节点与所述射频晶体管的输出端电连接,所述第二目标节点用于向射频信号接收设备发送信号。根据本申请实施例,能够有效对射频晶体管的相位失真进行改善,从而保证了预失真电路功能的正常实现。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于射频通信,尤其涉及一种预失真电路及预失真电路架构


技术介绍

1、目前射频晶体管作为射频功率放大器的主要元件,应用在无线通讯系统中的发射组件末级,其线性度特征直接决定了所发射信号的质量。为了改善射频晶体管的线性度,通常会采用比如反馈技术,前馈技术以及预失真技术等对射频信号线性度进行处理。其中,预失真技术以其对线性度优异的改善效果、多样的实现方式,以及针对射频晶体管不同的线性度特征灵活的优化能力而得到广泛的应用。

2、然而,现有的预失真方案在对相位失真的改善大多是针对rf ldmos(radiofrequency laterally diffused metal-oxide-semiconductor,横向扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管),并不适用于所有射频晶体管。随着化合物半导体工艺的日渐成熟,rfgan(radio frequency gallium nitride,射频氮化镓)等非绝缘栅器件射频晶体管以其优异的射频性能越来越受到市场的青睐,而其相位失真的特征与传统rf ldmos存在较大差异。

3、基于此,业界仍然本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种预失真电路,其特征在于,应用于射频晶体管;所述预失真电路包括电感模块和可变电阻模块;

2.根据权利要求1所述的预失真电路,其特征在于,所述电感模块包括目标电感;所述目标电感的第一极与所述第一目标节点电连接,所述目标电感的第二极与所述第二目标节点电连接;

3.根据权利要求2所述的预失真电路,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的预失真电路,其特征在于,所述目标电感的电感值根据第一计算公式确定得到;

5.根据权利要求2所述的预失真电路,其特征在于,所述开启电压基于第二计算公式计算得到;

6.根据权利要求2所述的预失真电...

【技术特征摘要】

1.一种预失真电路,其特征在于,应用于射频晶体管;所述预失真电路包括电感模块和可变电阻模块;

2.根据权利要求1所述的预失真电路,其特征在于,所述电感模块包括目标电感;所述目标电感的第一极与所述第一目标节点电连接,所述目标电感的第二极与所述第二目标节点电连接;

3.根据权利要求2所述的预失真电路,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的预失真电路,其特征在于,所述目标电感的电感值根据第一计算公式确定得到;

5.根据权利要求2所述的预失真电路,其特征在于,所述开启电压基于第二计算公式计算得到;

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯富诚
申请(专利权)人:苏州华太电子技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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