一种电容及其制造方法、电子设备技术

一种电容及其制造方法、电子设备，所述电容包括：第一极板、第二极板和设置在所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述介质层包括种子层和设置在所述种子层和所述第二极板之间的主体层，制备所述种子层的前驱体与制备所述主体层的前驱体不同，且制备所述种子层的前驱体与氧的反应活性小于制备所述主体层的前驱体与氧的反应活性；所述主体层的结晶应变小于所述种子层的结晶应变。本实施例中，通过使用与氧反应活性低的前驱体制备种子层，可以减少杂质，提高种子层的K值，从而提高介质层的K值，且使用结晶应变小的膜层作为主体层，可以减少裂纹，降低漏电。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及但不限于半导体技术，尤指一种电容及其制造方法、电子设备。

技术介绍

1、随着动态随机存取存储器(dynamic random acess memory，dram)的微缩，对其的电容提出了挑战：需要同时满足高电容值，低漏电的需求。所以介质层的材料选择尤为重要。钛酸锶(srtio3，简称sto)，由于具有超高的介电常数(k>100)，可以应用在dram的电容结构中。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开实施例提供了一种电容及其制造方法、电子设备，提高电容性能。

3、本公开实施例提供了一种电容，包括：第一极板、第二极板和设置在所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述介质层包括种子层和设置在所述种子层和所述第二极板之间的主体层，制备所述种子层的前驱体与制备所述主体层的前驱体不同，且制备所述种子层的前驱体与氧的反应活性小于制备所述主体层的前驱体与氧的反应活性；所述主体层的结晶应变小于所述种子层的结晶应变本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容，其特征在于，包括：第一极板、第二极板和设置在所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述介质层包括种子层和设置在所述种子层和所述第二极板之间的主体层，制备所述种子层的前驱体与制备所述主体层的前驱体不同，且制备所述种子层的前驱体与氧的反应活性小于制备所述主体层的前驱体与氧的反应活性；所述主体层的结晶应变小于所述种子层的结晶应变。

2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，制备所述种子层的前驱体包括Sr(t-Bu3Cp)2和Ti(OR)4，R为C1至C4的烷基。

3.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述种子层的厚度为1纳米至5纳米。

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【技术特征摘要】

1.一种电容，其特征在于，包括：第一极板、第二极板和设置在所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述介质层包括种子层和设置在所述种子层和所述第二极板之间的主体层，制备所述种子层的前驱体与制备所述主体层的前驱体不同，且制备所述种子层的前驱体与氧的反应活性小于制备所述主体层的前驱体与氧的反应活性；所述主体层的结晶应变小于所述种子层的结晶应变。

2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，制备所述种子层的前驱体包括sr(t-bu3cp)2和ti(or)4，r为c1至c4的烷基。

3.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述种子层的厚度为1纳米至5纳米。

4.根据权利要求1至3任一所述的电容，其特征在于，制备所述主体层的前驱体包括sr(ipr3cp)2和含有环戊二烯基配体的ti前驱体。

5.根据权利要求1至3任一所述的电容，其特征在于，所述主体层的厚度为5纳米至10纳米。

6.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的电容，以及，电连接到所述电容的晶体管。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈永青，项金娟，袁鹏，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：