【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，具体而言，涉及一种模拟ald工艺过程的方法及可模拟ald工艺过程的系统。
技术介绍
1、ald设备是一种半导体镀膜设备，其工艺可概述为将两种前驱体源分别交替脉冲进反应腔室，由于晶圆表面对每个前体吸附达到饱和后停止，因此完成一次循环后形成单层材料，就是把膜一层一层的镀到晶圆上的，通过改变循环次数即可得到目标镀膜厚度，而影响镀膜精度的因素包括有前驱体的脉冲时间、吹扫时间、吹扫流量、工艺压力、沉积温度等，目前业界上，设备厂在新研发出一款ald设备时，为了使其达到满足膜层性能和生产产能的要求，需要进行多次工艺调试，不断将配方进行优化。因此，工艺调试期间是需要投入大量的人力、物力进行多次实验和工艺测试才能确定最优的工艺参数，花费成本是十分高昂的。例如吹扫的时间是一个十分重要的工艺参数，当吹扫时间过短时，造成吹扫不干净出现cvd，而非原子层沉积，造成所镀膜层品质下降。而当吹扫时间过长时虽可确保吹扫干净但也大大增加了时间成本，降低了产能。需要进行多次工艺测试才可找到合适的吹扫时间。
2、由于传统的ald工艺调试过...
【技术保护点】
1.一种模拟ALD工艺过程的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的模拟ALD工艺过程的方法，其特征在于，在进行后处理后，根据模拟的结果，找到影响镀膜均匀性的关键因素，进一步缩小参数的调试区间，然后重复S3-S4的步骤。
3.根据权利要求2所述的模拟ALD工艺过程的方法，其特征在于，所述参数包括前驱体的脉冲时间、吹扫时间、吹扫流量、工艺压力、沉积温度。
4.根据权利要求1所述的模拟ALD工艺过程的方法，其特征在于，利用计算机进行模拟，所述计算机包括有输入设备以用于输入参数。
5.一种可模拟ALD工艺过程...
【技术特征摘要】
1.一种模拟ald工艺过程的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的模拟ald工艺过程的方法，其特征在于，在进行后处理后，根据模拟的结果，找到影响镀膜均匀性的关键因素，进一步缩小参数的调试区间，然后重复s3-s4的步骤。
3.根据权利要求2所述的模拟ald工艺过程的方法，其特征在于，所述参数包括前驱体的脉冲时间、吹扫时间、吹扫流量、工艺压力、沉积温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷植深，程融，何美洁，
申请(专利权)人：厦门韫茂科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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