一种碳化硅晶体的切割方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石微粉与切削油；所述砂浆的粘度为5~50 mPa•s。与现有技术相比，本发明专利技术通过电镀有金刚石磨粒的切割线和含有金刚石微粉的砂浆液共同作用，再结合切割工艺参数的设置，确保切割后碳化硅晶片的总厚度变化和翘曲度变化，从而实现采用更细的切割线、更小粒度的磨粒达到降低切割损耗的目的，使将碳化硅晶体切割的单片损耗降低至100μm以内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，尤其涉及一种碳化硅晶体的切割方法。

技术介绍

1、碳化硅晶体广泛地应用于半导体、电子元件等领域，其硬度高，对于需要目标较薄尺寸的元件来说，需要对大尺寸的碳化硅晶体进行切割处理。

2、目前碳化硅切割普遍还是采用砂浆切割，少部分采用金刚石砂线切割，但是由于碳化硅的硬度较高，切割时采用的切割线径和砂浆磨粒的直径都偏大，导致切割碳化硅晶体时的损耗较高，单片切割损耗在100 μm以上，对于目标切片厚度500 μm的晶片而言，单片的切割损耗在16.7%以上，切割损耗较大，导致碳化硅晶片的生产成本居高不下，因此降低碳化硅切割损耗，对于降低碳化硅生产成本具有重要意义。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种碳化硅晶体的低损耗切割方法。

2、本专利技术提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：

3、利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶体的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述金刚石磨粒的粒径为3~10 μm。

3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述金刚石微粉的粒径为5.5~15 μm；所述金刚石微粉的质量为砂浆质量的2%~20%。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割处理时切割线的张力为1~10 N。

5.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割处理时切割线的线速度为10~24 m/s。

6.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶体的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述金刚石磨粒的粒径为3~10 μm。

3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述金刚石微粉的粒径为5.5~15 μm；所述金刚石微粉的质量为砂浆质量的2%~20%。

4.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割处理时切割线的张力为1~10 n。

5.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割处理时切割线的线速度为10~24 m/s。

6.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述砂浆切割处理时碳化硅晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振立，饶德旺，朱超杰，赵宁，王波，彭同华，刘春俊，杨建，
申请(专利权)人：北京天科合达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：