【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微波测试，具体涉及一种多物理场耦合下的材料介电性能测试方法及装置。
技术介绍
1、随着电子信息技术的飞速发展，以铁电/铁磁材料、半导体等为代表的具有电、磁特性的功能材料在工程
应用日益广泛，尤其是在新型传感器、驱动器及电子元器件制造领域。研究结果表明，铁电/铁磁材料、压电材料、半导体等存在复杂的多物理场耦合本构行为，微波场、静电场、静磁场、温度以及应力会对某些功能材料的本构电性能参数产生影响。因此，功能材料在多物理场耦合作用下电性能测试得到了广泛关注，也催生了对相关测试方法的迫切需求。
2、目前，在高温、高压或微波场耦合下，基于谐振法的材料复介电常数测试技术已有报道。在公告号为cn117388581a的专利“基于同轴腔法高温高压下材料介电性能测试系统及方法”中，提出通过将待测吸波材料置于渐变型同轴谐振腔内，利用加热和加压装置同时构建温度场和压力场，测量材料在不同温度和压力下的介电性能；在公告号为cn117630502a的专利“一种透波材料在高温高压下的介电性能测试系统及方法”中，提出在常规准光腔测试装置中...
【技术保护点】
1.一种多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，参考样品的相对介电常数和损耗角正切采用高Q腔法进行提取。
3.如权利要求2所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，参考样品数量不少于3个，且其相对介电常数至少应分别位于2～4、4～8和8～12区间，损耗角正切至少分别位于10-4、10-3和10-2量级。
4.一种适用于权利要求1-3任一权利要求所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法的测试装置，其特征在于，包括介电性能测...
【技术特征摘要】
1.一种多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，参考样品的相对介电常数和损耗角正切采用高q腔法进行提取。
3.如权利要求2所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法，其特征在于，参考样品数量不少于3个，且其相对介电常数至少应分别位于2～4、4～8和8～12区间，损耗角正切至少分别位于10-4、10-3和10-2量级。
4.一种适用于权利要求1-3任一权利要求所述的多物理场耦合下的材料介电性能测试方法的测试装置，其特征在于，包括介电性能测试模块和多物理场加载模块；
5.如权利要求4所述的测试装置，其特征在于，所述耦合端口采用圆环弱耦合结构，其s21应小于-50db；馈电端口采用探针强耦合结构，其s11应小于-10db。
6.如权利要求4所述的测试装置，其特征在于，馈电端口的具体位置由馈入频率对应的t em谐振模式的场分布决定。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：张云鹏，叶金平，刘昱琳，高冲，余承勇，龙嘉威，牛雪，郑虎，李恩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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