一种CMOS图像传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS图像传感器及其制备方法，该CMOS图像传感器包括多个图像采集电路，图像采集电路包括外延片以及位于外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元、复位单元、跟随单元和行选单元；外延片包括衬底基板和外延层；转移单元包括转移晶体管，转移晶体管包括第一电极层、第二电极层、控制电极和有源层；浮置扩散节点与第二电极层电连接；第一电极层位于外延片的一侧表面，有源层至少位于第一电极层背离外延片的一侧表面，第二电极层位于有源层背离外延片一侧的至少部分表面，控制电极至少部分覆盖有源层的侧壁。本发明专利技术提供的技术方案，可以提高转移晶体管的工作可靠性，进而提高CMOS图像传感器的工作稳定性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种cmos图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、cmos图像传感器是一种获取目标图像信息的集成电路器件，cmos图像传感器可被驱动并能执行各种扫描系统，cmos图像传感器的4t像素由光电二极管、转移管、复位管、行选通管以及浮置扩散节点组成。电荷转移情况对于cmos图像传感器来说，是非常重要的性能参数之一。

2、cmos图像传感器在卫星侦察或核电站堆芯检测等存在高能粒子的强辐照环境中有广泛应用。相较普通的低能量辐照环境，如太阳辐射和灯光反射，光子只是激发cmos图像传感器内硅材料中的电子，并在光电二极管中完成收集，然后通过转移管输出至浮置扩散节点，此处光电荷转化为电压信号被像素电路输出。但在强辐照环境中存在大量高能光子或高能粒子，高能粒子会直接破坏硅的晶格形成缺陷，在半导体材料(硅)和氧化层(二氧化硅)的交界处形成界面陷阱，导致cmos图像传感器的性能降低甚至失效，该现象也被称为电离总剂量效应(total ionizing dose，tid)。

3、若cmos图像传感器处于高能量强辐照环境中，当cmo本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括多个图像采集电路，所述图像采集电路包括外延片以及位于所述外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元、复位单元、跟随单元和行选单元；所述外延片包括衬底基板和外延层；

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，在所述外延片的厚度方向上，所述光电转换单元至少位于所述外延层与所述第一电极层之间。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电转换单元包括光电二极管；

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感...

【技术特征摘要】

1.一种cmos图像传感器，其特征在于，包括多个图像采集电路，所述图像采集电路包括外延片以及位于所述外延片一侧表面的转移单元、浮置扩散节点、光电转换单元、复位单元、跟随单元和行选单元；所述外延片包括衬底基板和外延层；

2.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，在所述外延片的厚度方向上，所述光电转换单元至少位于所述外延层与所述第一电极层之间。

3.根据权利要求2所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述光电转换单元包括光电二极管；

4.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述复位单元包括复位晶体管；

6.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述跟随单元包括源极跟随晶体管；所述行选单元包括行选晶体管；

7.根据权利要求1所述的cmos图像传感器，其特征在于，所述转移单元还包括：绝缘层；

8.一种cmos图像传感器的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：武大猷，江建民，张睿轶，朱健军，
申请(专利权)人：上海矽印科技有限公司，
类型：发明
国别省市：