【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光器件，尤其涉及一种单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置。
技术介绍
1、现有技术中，大致有两种半导体激光二极管整形耦合方式，一种是并排的半导体激光二极管长条(bar条)先做快轴准直，再用柱面镜阵列做每一个二极管的慢轴压缩，此类激光器因排列过于紧密，如果要光斑之间不相互干扰，慢轴准直的柱面镜阵列慢轴焦距不能做的大，这样就导致耦合时慢轴方向的焦点光斑大。鉴于这种整形耦合方式的明显缺点，发展了另一种bar条整形耦合方式，即先将bar条的各二极管做快轴准直，用一个快慢轴转换镜片组把bar条中的每一个光斑的快慢轴转90度，让bar条的光斑重新排列，再将慢轴做准直，这种整形方式解决了聚焦光斑大的问题。
2、然而，上述两类整形方式存在一些问题：激光芯片排列过于紧密，随着单芯片的功率增大，散热困难；各环节的光路调试必须加电点亮bar条，但是一些特殊的半导体材料对工作和使用环境要求严苛，在没有合适保护气体和良好无尘环境的情况下裸露着加电点亮bar条，必然会导致bar条光功率衰减甚至失效。快轴准直时，快轴准直镜片离芯片...
【技术保护点】
1.一种单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述半导体阵列激光器，包括：
3.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述准直系统包括：球面镜透镜阵列、非球面镜透镜阵列中的一种，被配置为对所述第一光束阵列的快轴和慢轴进行同时准直。
4.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述准直系统被配置为对所述第一光束阵列的快轴和慢轴分别准直；
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【技术特征摘要】
1.一种单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述半导体阵列激光器，包括：
3.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述准直系统包括：球面镜透镜阵列、非球面镜透镜阵列中的一种，被配置为对所述第一光束阵列的快轴和慢轴进行同时准直。
4.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述准直系统被配置为对所述第一光束阵列的快轴和慢轴分别准直；
5.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述缩束系统包括：
6.根据权利要求5所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述第一镜片包括柱面镜、柱面微透镜阵列、非球面柱面镜、柱面透镜组、柱面镜与非球面镜的透镜组、非球面透镜组中的其中之一；
7.根据权利要求1所述的单管半导体激光二极管密集排列光束整形耦合装置，其特征在于，所述快慢轴转换系统包括柱面镜对、非球面镜对、阶梯反射镜、微片棱镜堆中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹亚铁，
申请(专利权)人：北京普华美光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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