【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本专利技术涉及半导体结构，并且更具体地，涉及防止和减轻半导体结构中的闩锁。
2、半导体结构(例如互补金属氧化物半导体单元)通常在电子装置(例如处理器芯片)内串联制造。典型的金属氧化物半导体器件包括掺杂有电子供体或电子受体元素的硅区域，以使硅具有电活性。这些半导体通常包括掺杂有相同类型的掺杂元素的两个区域，所述两个区域被掺杂有相反掺杂元素的区域包围。
3、半导体器件通常与互补半导体器件(即，具有掺杂有相反元素的区域的器件)配对以形成互补半导体单元。然后，这些单元可以在电子设备内成系列地被图案化。器件中的单元的数量可以基于器件的设计而显著变化，但是通常一系列内的单元被紧密地图案化在一起，以便节省整体器件空间(例如，以减小包含单元的芯片的整体尺寸)。
4、然而，图案化半导体单元靠近在一起可能导致第一单元的导体与附近单元的互补导体相互作用，从而产生非预期的连接。这种连接的一种类型被称为闩锁。当在半导体单元的掺杂区域之间的电源电压(即，vdd)源和地源之间形成低阻抗路径时，可能发生闩锁。当电流的...
【技术保护点】
1.一组晶体管元件，包括：
2.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括：
3.根据权利要求2所述的一组晶体管元件，还包括：
4.根据权利要求2所述的一组晶体管元件，还包括：
5.根据权利要求3所述的一组晶体管元件，还包括：
6.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括：
7.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括第二掺杂类型的少数集电极，所述第二掺杂类型的少数集电极形成在所述反传播区域中。
8.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括钳位触点，所述钳位触点位于所述衬底上并且...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一组晶体管元件，包括：
2.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括：
3.根据权利要求2所述的一组晶体管元件，还包括：
4.根据权利要求2所述的一组晶体管元件，还包括：
5.根据权利要求3所述的一组晶体管元件，还包括：
6.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括：
7.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括第二掺杂类型的少数集电极，所述第二掺杂类型的少数集电极形成在所述反传播区域中。
8.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括钳位触点，所述钳位触点位于所述衬底上并且在所述第一阱和所述第二阱之间与所述第二平面相交。
9.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括第二掺杂类型的第二反传播区域，所述第二反传播区域形成在所述衬底上并且与所述第二平面相交。
10.根据权利要求1所述的一组晶体管元件，还包括第二掺杂类型的少数集电极，所述少数集电极形成在所述衬底上并且与所述第二平面相交。
11.一组晶体管元件，包括：
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