具有电子准直结构的EBAPS结构、EBAPS器件制造技术

本申请公开了一种具有电子准直结构的EBAPS结构、EBAPS器件，包括：容纳设置于管壳内的：入射窗、光电阴极、微通道板、支撑基底、背照式图像传感器；入射窗设置于管壳的光学入射端面上；光电阴极设置于入射窗底面上，并朝向微通道板设置；微通道板安装于管壳内中部；光电阴极与微通道板的入口面间设置电压V<subgt;a</subgt;；微通道板的入口面、电子出射面间设置电压V<subgt;b</subgt;；微通道板电子出射面与背照式CMOS之间电压为V<subgt;c</subgt;。该结构能在不减小近贴距离的情况下，实现有效抑制光电子渡越弥散，提高低照度下的分辨力，降低击穿或漏电风险。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微光夜视器件，特别是一种具有电子准直结构的ebaps结构、ebaps器件。

技术介绍

1、传统微光夜视器件主要以像增强器为主，其基本结构主要包含：光电阴极、微通道板(microchannel plate,mcp)、磷光屏以及光纤倒像器。光电阴极通过外光电效应将微弱的光信号转化为光电子，光电子在电场的作用下射入mcp并与微通道的内部碰撞产生二次电子倍增放大。这些倍增二次电子最终被电场加速轰击到磷光屏上转化为光信号，然后经光纤倒像器输出图像。

2、上述结构的微光像增强器有如下缺点：

3、(1)传统像增强器以mcp作为增益放大部件，噪声因子较大，且会因阳离子反馈导致大量闪烁噪声；

4、(2)采用磷光屏做图像输出端不具备数字化成像功能；

5、(3)由于必须设置光纤倒像器，导致增加器件额外体积和重量，无法实现器件小型化。

6、随着现代微光夜视应用领域对数字化、信息化和智能化器件需求的增长，上述传统像增强器的缺点愈发突显。为克服传统微光像增强器的瓶颈，美国专利us6657178b2公布了一种电子轰击本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有电子准直结构的EBAPS结构，其特征在于，包括：容纳设置于管壳内的：入射窗(11)、光电阴极(12)、微通道板(22)、支撑基底(32)、背照式图像传感器(33)；入射窗(11)设置于管壳的光学入射端面上；光电阴极(12)设置于入射窗(11)底面上，并朝向微通道板(22)设置；

2.根据权利要求1所述的具有电子准直结构的EBAPS结构，其特征在于，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一电源的正极与微通道板(22)的入口面电连接；第一电源的负极与光电阴极(12)电连接；第一电源电压为Va；

3.根据权利要求1所述的具有电子准直结构的EBAPS结构，其特...

【技术特征摘要】

1.一种具有电子准直结构的ebaps结构，其特征在于，包括：容纳设置于管壳内的：入射窗(11)、光电阴极(12)、微通道板(22)、支撑基底(32)、背照式图像传感器(33)；入射窗(11)设置于管壳的光学入射端面上；光电阴极(12)设置于入射窗(11)底面上，并朝向微通道板(22)设置；

2.根据权利要求1所述的具有电子准直结构的ebaps结构，其特征在于，包括：第一电源、第二电源、第三电源；第一电源的正极与微通道板(22)的入口面电连接；第一电源的负极与光电阴极(12)电连接；第一电源电压为va；

3.根据权利要求1所述的具有电子准直结构的ebaps结构，其特征在于，光电阴极(12)为具有负电子亲和势的gaas半导体，或含有碱金属元素的锑系化合物沉积形成；

4.根据权利要求3所述的具有电子准直结构的ebaps结构，其特征在于，含有碱金属元素的锑系化合物为na2ksb、na3sb、k3sb、k2cssb、na2ksb(cs)、cs3sb中的至少一种；

5.根据权利要求1所述的具有电子准直结构的ebaps结构，其特征在于，包括：表...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘震，张新，李耀斌，李亚情，邓华兵，赵希炜，龙金燕，
申请(专利权)人：北方夜视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：