一种多光谱原位融合探测器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种多光谱原位融合探测器及其制作方法，该探测器包括可见光芯片及红外光芯片，其中，可见光芯片包括可见光像元阵列，红外光芯片连接于可见光芯片下方，红外光芯片包括红外光像元阵列，红外光像元阵列与可见光像元阵列在三维垂直空间设置对应关系，一个红外像元对应一个或多个可将光像元，以实现可见光/红外光的垂直原位融合探测。该探测器从集成方式上对可见光芯片与红外光芯片进行融合，在满足工艺兼容性的同时，能够实现复杂环境下(例如，高速运动场景)对探测目标进行全天时、动态的探测与识别效果，提升可见光/红外光融合探测的准确性与灵活性。该制作方法步骤简单，制作工艺兼容，易于规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路及探测器，涉及一种多光谱原位融合探测器及其制作方法。

技术介绍

1、图像传感器是将入射光信号转换为电信号的器件。随着工艺的发展，可见光与红外传感器技术不断成熟，其中红外探测器根据物体自身热辐射进行探测，可实现全天时工作，且不易受烟尘、雾霭等特殊环境的影响。但红外成像对比度较低，纹理细节相对欠丰富。可见光图像是利用可见光反射进行成像，对比度较高、纹理信息丰富，更利于机器识别或人眼观察，但可见光图像在雾霾、低光照等场景下的成像效果不理想。

2、可见光波段与长波红外波段成像探测的结合，可以兼具可见光成像细节丰富，对比度高，全天时监测，隐蔽性好等优点。现阶段的可见光与长波红外结合的多光谱探测以分立器件探测为主，主要通过图像算法进行融合以实现可见光和长波红外的多光谱探测。但是，目前的多光谱探测器存在以下问题：可见光与红外光分立成像，难以实现同步成像而无法原位还原探测信息，此外还存在光学系统复杂，探测器小型化及轻量化应用需求受限的问题。

3、因此，如何提供一种多光谱原位融合探测器及其制作方法，以实现可见光/红外光的多光谱原本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多光谱原位融合探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述可见光像元阵列包括多个以第一方式排列的可见光像元，所述红外光像元阵列包括多个以第二方式排列的红外光像元，一所述红外光像元与一个或多个所述可见光像元对应设置。

3.根据权利要求1所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述可见光芯片还包括硅通孔，所述硅通孔位于所述可见光像元阵列的外围以电连接所述可见光芯片与所述红外光芯片。

4.根据权利要求3所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述探测器还包括电性连接结构，所述电性连接结构位于所述可见光芯片...

【技术特征摘要】

1.一种多光谱原位融合探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述可见光像元阵列包括多个以第一方式排列的可见光像元，所述红外光像元阵列包括多个以第二方式排列的红外光像元，一所述红外光像元与一个或多个所述可见光像元对应设置。

3.根据权利要求1所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述可见光芯片还包括硅通孔，所述硅通孔位于所述可见光像元阵列的外围以电连接所述可见光芯片与所述红外光芯片。

4.根据权利要求3所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述探测器还包括电性连接结构，所述电性连接结构位于所述可见光芯片与所述红外光芯片之间并与所述硅通孔连接，所述电性连接结构包括键合金属及垂直互连桥中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述探测器还包括空腔，所述空腔位于所述可见光像元阵列与所述红外光像元阵列之间。

6.根据权利要求5所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述空腔自所述可见光芯片朝向所述红外光芯片的一面开口并部分贯穿所述可见光芯片。

7.根据权利要求5所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述探测器包括围堰，所述围堰位于所述可见光芯片与所述红外光芯片之间以构成所述空腔，且所述红外光像元阵列位于所述空腔之内。

8.根据权利要求5所述的多光谱原位融合探测器，其特征在于：所述探测器还包括可见光增透膜及红外光增透膜中的至少一种，其中，所述可见光增透膜位于所述可见光芯片设有所述可见光像元阵列的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文军，请求不公布姓名，唐昭焕，李军利，吴罚，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：