半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(10)具有：设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层(140)；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层(150)；和隔着栅极绝缘层而设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160)，栅电极从栅极绝缘层侧起依次具有含钛层(162)及导电层(164)，栅极绝缘层包括与栅电极重叠的第一区域(152)和与栅电极不重叠的第二区域(154)，含钛层的厚度(T3)为第一区域中的厚度(T1)的50％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的实施方式之一涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。尤其是，本专利技术的实施方式之一涉及作为沟道中使用了氧化物半导体的半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，取代非晶硅、低温多晶硅及单晶硅而将氧化物半导体用于沟道的半导体装置的开发不断发展(例如专利文献1～6)。沟道中使用了氧化物半导体的半导体装置与沟道中使用了非晶硅的半导体装置同样地能够以简单的构造且通过低温工艺来形成。已知沟道中使用了氧化物半导体的半导体装置相较于沟道中使用了非晶硅的半导体装置而言，具有高的迁移率。

2、为了使沟道中使用了氧化物半导体的半导体装置进行稳定的动作，在其制造工序中向氧化物半导体层供给氧来减小形成于氧化物半导体层的氧缺损是重要的。例如，作为向氧化物半导体层供给氧的方法之一，公开了在该绝缘层含有更多的氧的条件下形成覆盖氧化物半导体层的绝缘层的技术。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2021-141338号公报

6、专利文献2：日本特开2014-099601号公报

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【技术保护点】

1.半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含钛层的厚度为25nm以上50nm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层的所述第一区域的厚度为100nm以上125nm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含钛层的厚度为所述第二区域中的所述栅极绝缘层的厚度的25％以上、小于70％。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层的所述第二区域的厚度为75nm以上100nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含钛层为钛层。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含钛层的厚度为25nm以上50nm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层的所述第一区域的厚度为100nm以上125nm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述含钛层的厚度为所述第二区域中的所述栅极绝缘层的厚度的25％以上、小于70％。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层的所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡壁创，津吹将志，佐佐木俊成，田丸尊也，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：