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文档序号:43246534

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半导体装置(10)具有:设置在绝缘表面之上的氧化物半导体层(140);设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层(150);和隔着栅极绝缘层而设置在氧化物半导体层之上的栅电极(160),栅电极从栅极绝缘层侧起依次具有含钛层(162)及导电层(16...
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