在光子芯片上集成光电探测芯片的方法技术

本发明专利技术涉及一种在光子芯片上集成光电探测芯片的方法，属于光电子技术领域。该方法以光子芯片为基底，在光子芯片上集成光波导和光电探测芯片。具体地，在光波导的输出端面处的光子芯片表面，通过刻蚀形成以凹槽结构，并将光电探测芯片粘接固定于该凹槽结构中，其中，光电探测芯片的光敏面与光波导的输出端面对准，使光电探测芯片直接接收光波导的输出光信号，以提高光电转换效率。本发明专利技术仅采用干法刻蚀一种工艺制作刻蚀槽，其工艺简单，易于实现，并且光电探测芯片直接探测波导输出的光信号，光电转换效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子，涉及一种光子芯片集成技术，具体涉及一种在光子芯片上集成光电探测芯片的方法。

技术介绍

1、集成光子芯片具有大带宽、低功耗、多功能、小体积尺寸等优势，是高速大容量信息传输和处理的关键技术，广泛应用于5g通信、大数据、云计算、人工智能、微波光子、星网通信和量子信息等新兴

2、集成光子芯片是将发光、电光调制、光波导和光电探测等功能单元集成到单个芯片上，使用光子作为媒介来传输和处理信息的技术。虽然集成光子芯片有许多优势，但在与现有技术的集成和兼容性方面仍面临挑战，为了实现光电探测功能单元的片上集成，目前主要采用如下解决方案：

3、方案一：该方案采用切片和磨抛工艺或倾斜干法刻蚀工艺又或者湿法腐蚀工艺将集成光子芯片的波导输出端面制成45°反射镜结构，再在反射镜表面制作高反膜，最后将光电探测芯片贴装于波导输出端。水平输入光信号经波导传输后在波导的输出端反射后垂直入射光电探测芯片的光敏面，光电探测芯片接收光信号并将其转换为电信号输出。采用切片磨抛工艺或倾斜干法刻蚀工艺制备45°反射镜结构需要定制专用夹具，且反射镜倾斜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在光子芯片上集成光电探测芯片的方法，其特征在于：该方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述凹槽结构的尺寸根据光电探测芯片的尺寸进行设置。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述光电探测芯片为侧入射式光电探测芯片，所述侧入射式光电探测芯片的光敏面与所述光波导的输出端面对准以直接接收光信号，该光信号经所述侧入射式光电探测芯片底面的反射结构反射后入射至有源区。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述光电探测芯片为背入射式光电探测芯片。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：选用所述背入...

【技术特征摘要】

1.一种在光子芯片上集成光电探测芯片的方法，其特征在于：该方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述凹槽结构的尺寸根据光电探测芯片的尺寸进行设置。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述光电探测芯片为侧入射式光电探测芯片，所述侧入射式光电探测芯片的光敏面与所述光波导的输出端面对准以直接接收光信...

【专利技术属性】
技术研发人员：田自君，富松，周帅，王立，王立民，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：