一种双沟槽型MOS场效应晶体管制造技术

本技术公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管，包括：散热壳体，所述散热壳体内部中空形成散热腔，且散热腔内设置有散热结构；晶体管主体，所述晶体管主体通过导向挤压结构设置于散热腔内，并通过限位结构进行限位；固定底座，所述固定底座上设置有固定腔，且散热壳体插入设置于固定腔内；所述固定腔底部设置有连接板，且连接板上设置有与晶体管主体的插脚相对应的插孔。本技术通过设置散热壳体、散热腔、散热结构、导向挤压结构、固定底座和限位结构，实现了对晶体管主体的散热和固定，同时保证了其稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体管，具体涉及一种双沟槽型mos场效应晶体管。

技术介绍

1、随着电子技术的不断发展，晶体管作为电子器件的核心部件，其应用范围越来越广泛。而mos场效应晶体管是一种常用的晶体管类型，其具有低功耗、高速度、小体积等优点，因此在各种电子设备中得到广泛应用。然而，由于mos场效应晶体管在工作过程中会产生大量热量，如果不能及时散热，就会导致晶体管失效，影响设备的正常运行。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是提供一种双沟槽型mos场效应晶体管，以解决
技术介绍
中所存在的问题。

2、本技术双沟槽型mos场效应晶体管是通过以下技术方案来实现的，包括：

3、散热壳体，所述散热壳体内部中空形成散热腔，且散热腔内设置有散热结构；

4、晶体管主体，所述晶体管主体通过导向挤压结构设置于散热腔内，并通过限位结构进行限位；

5、固定底座，所述固定底座上设置有固定腔，且散热壳体插入设置于固定腔内；所述固定腔底部设置有连接板，且连接板上设置有与晶体管主体的插脚相对应的插本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于：所述散热结构包括散热风扇(7)以及设置于散热壳体(1)两侧的通风槽(8)，散热壳体(1)上方安装有固定座(9)，且散热风扇(7)固定于固定座(9)上，并与晶体管主体(2)的位置相对应。

3.根据权利要求1所述的双沟槽型MOS场效应晶体管，其特征在于：所述导向挤压结构包括导向座(10)以及导向杆(11)，导向座(10)设置于散热壳体(1)内部上方的四周，且导向杆(11)插入设置于导向座(10)内；所述导向杆(11)与导向座(10)之间设置有弹簧(1...

【技术特征摘要】

1.一种双沟槽型mos场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双沟槽型mos场效应晶体管，其特征在于：所述散热结构包括散热风扇(7)以及设置于散热壳体(1)两侧的通风槽(8)，散热壳体(1)上方安装有固定座(9)，且散热风扇(7)固定于固定座(9)上，并与晶体管主体(2)的位置相对应。

3.根据权利要求1所述的双沟槽型mos场效应晶体管，其特征在于：所述导向挤压结构包括导向座(10)以及导向杆(11)，导向座(10)设置于散热壳体(1)内部上方的四周，且导向杆(11)插入设置于导向座(10)内；所述导向杆(11)与导向座(10)之间设置有弹簧(12)，且弹簧(12)分别挤压导向杆(11)以及导向座(10)。

4.根据权利要求1所述的双沟槽型mos场效应晶体管，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军军，
申请(专利权)人：深圳智塔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：