烧结体、溅射靶、氧化物薄膜、薄膜晶体管、电子设备及烧结体的制造方法技术

一种烧结体，其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体，所述In元素及所述Al元素的原子组成比满足下述式(1)及下述式(2)：[In]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.70....(1)；[Al]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.01....(2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及烧结体、溅射靶、氧化物薄膜、薄膜晶体管、电子设备及烧结体的制造方法。

技术介绍

1、为了实现高清下一代显示器，要求高迁移率的薄膜晶体管(以下，有时将薄膜晶体管称为tft)，作为用于该tft的半导体材料而对igo(indium gallium oxide：氧化铟镓)这样的晶体类氧化物半导体进行了研究。在将氧化物半导体用于显示器的情况下，通过使用具有与氧化物的烧结体相同的原子组成的溅射靶进行溅射，可得到tft。

2、进而，为了实现电视那样的大型尺寸的显示器，从制造成本的观点出发，制造装置也呈大型化的趋势，对于用于溅射靶的烧结体，要求即使是大型装置也能够稳定地实现溅射。

3、例如，专利文献1中记载了实质上由铟与镓的氧化物、或者锡及铝中的任一方或双方和铟与镓的氧化物构成的溅射靶。专利文献1中记载的溅射靶在包含锡的情况下以100ppm～10000ppm包含，在包含铝的情况下以100ppm～10000ppm包含。而且，专利文献1中记载的溅射靶由体积14000μm3以上的空隙的空隙率为0.03体积％以下的烧结体构成，主面的面积为25本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种烧结体，其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体，其特征在于，

2.如权利要求1所述的烧结体，其特征在于，在用扫描型电子显微镜观察所述烧结体时的视野中，相对于所述视野的面积，孔隙的面积比率为0.1％以下。

3.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，将以{[Ga]/([In]+[Ga]+[Al])}×100表示的所述Ga元素的原子组成比设为x、并将以{[Al]/([In]+[Ga]+[Al])}×100表示的所述Al元素的原子组成比设为y时，所述x及所述y以原子％计在由下述(A1)、下述(B0)、下述(C1)、下述(D1)及下述(E1)的直线...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种烧结体，其为包含in元素、ga元素及al元素的氧化物的烧结体，其特征在于，

2.如权利要求1所述的烧结体，其特征在于，在用扫描型电子显微镜观察所述烧结体时的视野中，相对于所述视野的面积，孔隙的面积比率为0.1％以下。

3.如权利要求1或2所述的烧结体，其特征在于，将以{[ga]/([in]+[ga]+[al])}×100表示的所述ga元素的原子组成比设为x、并将以{[al]/([in]+[ga]+[al])}×100表示的所述al元素的原子组成比设为y时，所述x及所述y以原子％计在由下述(a1)、下述(b0)、下述(c1)、下述(d1)及下述(e1)的直线包围的组成范围内，

4.如权利要求3所述的烧结体，其特征在于，所述x及所述y以原子％计在由下述(a2)、下述(b2)、所述(c1)、所述(d1)及所述(e1)的直线包围的组成范围内，

5.如权利要求1～4的任一项所述的烧结体，其特征在于，包含含in元素的方铁锰矿结构与空间群属于p1或p-1中的任一方的晶体结构，

6.如权利要求5所述的烧结体，其特征在于，在对通过对所述烧结体进行x射线衍射测量而得到的光谱进行rietveld解析来计算含in元素的方铁锰矿...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛绘美，丝濑麻美，海上晓，井上一吉，岩瀬信博，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：