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烧结体、溅射靶、氧化物薄膜、薄膜晶体管、电子设备及烧结体的制造方法技术
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文档序号:43210903
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一种烧结体,其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体,所述In元素及所述Al元素的原子组成比满足下述式(1)及下述式(2):[In]/([In]+[Ga]+[Al])>0.70....(1);[Al]/([In]+[Ga]+[A...
该专利属于出光兴产株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过出光兴产株式会社授权不得商用。
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