一种GaN器件开关速度的评估方法及系统技术方案

本发明专利技术属于功率器件开关速度测量技术领域，具体公开了一种GaN器件开关速度的评估方法及系统，方法包括：搭建GaN十六参数小信号模型，计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值；构建Angelov模型，基于GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN十六参数小信号模型中的各个参数值，拟合得到Angelov模型中各参数的值；将Angelov模型输入到SDD模型，得到GaN器件大信号模型；搭建开关电路模型，将GaN器件大信号模型作为开关电路中的开关管；获取所述开关电路的输出波形，基于所述输出波形评估GaN器件的开关速度。本发明专利技术可以在搭建的开关电路中仿真得到该GaN器件的开关速度，简便易操作且成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率器件开关速度测量，尤其涉及一种gan器件开关速度的评估方法及系统。

技术介绍

1、本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。

2、目前，氮化镓（gan）功率器件已经广泛应用于汽车电子、手机充电器等开关电源中作为开关管，而评估开关管性能最重要的指标之一就是开关速度。现有技术中，测量gan器件开关速度的方法总体可分为两种：

3、（1）单片集成后放到实体电路中用示波器查看；但是，单片集成成本较高，一般应用于性能良好商业化的功率管。

4、（2）在商业eda软件中提取参数建模后搭建电路仿真波形查看；但是，该方法必须购买商业的eda软件才可使用。

5、对于实验中批量流片的gan器件来说，上述两种方式所需要的成本都较高，并且测试过程较为复杂。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提出了一种gan器件开关速度的评估方法及系统，建立gan器件的大信号模型，并将gan器件的大信号模型作为开关电路中的开关管，根据开关电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN器件开关速度的评估方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种GaN器件开关速度的评估方法，其特征在于，所述GaN十六参数小信号模型具体为由包括：栅极和源极之间的寄生电容Cgs、栅极和漏极之间的寄生电容Cgd、漏极和源极之间的寄生电容Cds、栅极和源极之间焊盘的寄生电容Cpgs、漏源之间焊盘的寄生电容Cpds、栅漏之间焊盘的寄生电容Cpgd、栅极处的寄生电感Lg、源极处的寄生电感Ls、漏极处的寄生电感Ld、栅源极处的寄生电阻Rs、栅漏极处的寄生电阻Rd、栅极下的寄生电阻Rg、栅下靠近源端的电阻Ri，栅漏电阻Rgd，衬底电流相关的输出电导g0和受控电流源在...

【技术特征摘要】

1.一种gan器件开关速度的评估方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种gan器件开关速度的评估方法，其特征在于，所述gan十六参数小信号模型具体为由包括：栅极和源极之间的寄生电容cgs、栅极和漏极之间的寄生电容cgd、漏极和源极之间的寄生电容cds、栅极和源极之间焊盘的寄生电容cpgs、漏源之间焊盘的寄生电容cpds、栅漏之间焊盘的寄生电容cpgd、栅极处的寄生电感lg、源极处的寄生电感ls、漏极处的寄生电感ld、栅源极处的寄生电阻rs、栅漏极处的寄生电阻rd、栅极下的寄生电阻rg、栅下靠近源端的电阻ri，栅漏电阻rgd，衬底电流相关的输出电导g0和受控电流源在内的十六个元件组成的模拟电路模型。

3.如权利要求1或2所述的一种gan器件开关速度的评估方法，其特征在于，基于gan器件在不同工作电压和频率下的s参数，计算得到gan十六参数小信号模型中的各个参数值，具体为：

4.如权利要求3所述的一种gan器件开关速...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘贺宇，殷和国，周思远，
申请(专利权)人：芯梦达半导体科技济南有限公司，
类型：发明
国别省市：