氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法，采用n型单晶硅，清洗后在硅片正面制绒，再在溴化硼扩散炉中进行硼掺杂，然后采用单面蚀刻工艺以去除硅片背面的金字塔结构和硼扩散层，采用热氧化法在硅片的正面和背面分别生长厚度约为1～2nm的氧化硅层，在硅片背面生长n型重掺杂多晶硅薄膜，再采用热蒸发法沉积厚度为20～50nm的氧化碲薄膜，最后在硅片前后表面沉积氧化铝和氮化硅层，并形成前接触和后接触金属栅线。本发明专利技术采用氧化碲取代p型重掺杂多晶硅，可以起到类似多晶硅的场钝化效应，同时氧化碲对可见光的高透过率可以减少电池前表面的寄生光学吸收。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶硅太阳电池领域，涉及前表面富碲氧化碲/氧化硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法。

技术介绍

1、钝化接触可以实现优异钝化性能与接触性能，是提高太阳电池效率的重要途径之一。在隧穿氧化层钝化接触(topcon)晶硅太阳电池中，钝化接触由超薄氧化硅(siox)和重掺杂多晶硅(poly-si)组成，其中氧化硅起到化学钝化的作用，钝化硅表面的悬挂键，而重掺杂多晶硅则起到场效应钝化的作用，降低少数载流子在硅表面的复合。采用topcon技术，除了可以提升电池效率的潜力外，还与现有发射极及背面钝化(perc)的高温工艺兼容，具有更高的成本效率，目前已成为主流光伏企业的首选。

2、目前量产的topcon电池大多数采用混合钝化接触设计，n型单晶硅(c-si)的正面为硼扩散形成p型重掺杂发射极，背面为氧化硅/n型重掺杂多晶硅的钝化接触。对topcon电池的自由能损耗分析表明，电池前表面占总自由能损失的64.2％，其中金属电极与硼掺杂接触区的复合损失占22.7％，金属栅线之间非接触区的横向传输电阻损失21％，硼掺杂区的复合损失13％，接触电阻损失7.5％本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.氧化碲钝化接触晶硅太阳电池的制备方法，包括下述步骤：

2.如权利要求1所述的方法制备的氧化碲钝化接触晶硅太阳电池。

【技术特征摘要】

1.氧化碲钝化接触晶硅太阳电池的制备方法，包括下述步骤：

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，谢一博，李林华，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：