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本发明公开了一种氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法，采用n型单晶硅，清洗后在硅片正面制绒，再在溴化硼扩散炉中进行硼掺杂，然后采用单面蚀刻工艺以去除硅片背面的金字塔结构和硼扩散层，采用热氧化法在硅片的正面和背面分别生长厚度约为1～2nm的...
该专利属于浙江师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江师范大学授权不得商用。

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